[發(fā)明專利]非揮發(fā)性記憶體及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210555545.X
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN103887310A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳冠緯
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種非揮發(fā)性記憶體，其特征在于其包括：

柵極結(jié)構(gòu)，配置于基底上，所述柵極結(jié)構(gòu)二側(cè)的所述基底中具有凹陷，所述柵極結(jié)構(gòu)包括：

柵介電層，配置于所述基底上，所述柵介電層與所述基底之間具有界面；及

柵極，配置于所述柵介電層上；

摻雜區(qū)，配置于所述凹陷周圍的所述基底中；

電荷儲存層，配置于所述凹陷中，且所述電荷儲存層的頂面高于所述界面；以及

第一介電層，配置于所述電荷儲存層與所述基底之間以及所述電荷儲存層與所述柵極結(jié)構(gòu)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性記憶體，其特征在于其中所述電荷儲存層的厚度介于至之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性記憶體，其特征在于其中所述凹陷具有傾斜側(cè)壁。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性記憶體，其特征在于其中所述所述電荷儲存層的材料包括氮化物或高介電常數(shù)材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性記憶體，其特征在于還包括第二介電層，配置于所述電荷儲存層上，且所述第二介電層的頂面與所述柵極結(jié)構(gòu)的頂面共平面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非揮發(fā)性記憶體，其特征在于還包括導(dǎo)體層，配置于所述第二介電層與所述柵極結(jié)構(gòu)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非揮發(fā)性記憶體，其特征在于其中所述摻雜區(qū)與所述界面之間具有距離，所述凹陷具有底面與至少一個側(cè)壁，且所述摻雜區(qū)配置于所述底面下方的所述基底中并圍繞所述側(cè)壁的一部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非揮發(fā)性記憶體，其特征在于其中所述距離介于0.005μm至0.01μm之間。

9.一種非揮發(fā)性記憶體的制作方法，其特征在于其包括以下步驟：

在基底上形成柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括：

柵介電層，位于所述基底上，所述柵介電層與所述基底之間具有界面；以及

柵極，位于所述柵介電層上；

在所述柵極結(jié)構(gòu)二側(cè)的所述基底中形成凹陷；

在所述基底與所述柵極結(jié)構(gòu)上形成第一介電層；

在所述凹陷周圍的所述基底中形成摻雜區(qū)；

在所述凹陷中形成電荷儲存層，所述電荷儲存層的頂面高于所述界面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非揮發(fā)性記憶體的制作方法，其特征在于其中所述電荷儲存層的厚度介于至之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非揮發(fā)性記憶體的制作方法，其特征在于其中所述凹陷具有傾斜側(cè)壁。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非揮發(fā)性記憶體的制作方法，其特征在于其中所述電荷儲存層的材料包括氮化物或高介電常數(shù)材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非揮發(fā)性記憶體的制作方法，其特征在于其中在形成所述電荷儲存層之后，還包括在所述電荷儲存層上形成第二介電層。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非揮發(fā)性記憶體的制作方法，其特征在于其中在形成所述第二介電層之后，還包括進(jìn)行平坦化工藝，移除部分所述第一介電層與部分所述第二介電層，直到暴露出所述柵極。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的非揮發(fā)性記憶體的制作方法，其特征在于其中在進(jìn)行所述平坦化工藝之后，還包括在所述第二介電層與所述柵極結(jié)構(gòu)上形成導(dǎo)體層。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的非揮發(fā)性記憶體的制作方法，其特征在于其中所述摻雜區(qū)與所述界面之間具有距離，所述凹陷具有底面與至少一個側(cè)壁，且所述摻雜區(qū)形成于所述底面下方的所述基底中并圍繞所述側(cè)壁的一部分。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的非揮發(fā)性記憶體的制作方法，其特征在于其中所述距離介于0.005μm至0.01μm之間。