[發(fā)明專利]晶片封裝體及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210555392.9
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN103165545A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉國華;張義民;林錫堅
• 申請（專利權(quán)）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L25/16;H01L21/56
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一元件區(qū)，形成于該基底之中或設(shè)置于該基底之上；

一介電層，設(shè)置于該基底的該第一表面上；

至少一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)；

一平坦層，設(shè)置于該介電層之上，其中該平坦層的一上表面與該導(dǎo)電墊的一上表面之間的一垂直距離大于2微米；

一透明基板，設(shè)置于該基底的該第一表面上；

一第一間隔層，設(shè)置于該透明基板與該平坦層之間；以及

一第二間隔層，設(shè)置于該透明基板與該基底之間，且延伸進入該介電層的一開口而接觸該導(dǎo)電墊，其中該第二間隔層與該導(dǎo)電墊之間大抵無間隙。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層直接接觸該平坦層，且不接觸該介電層或該基底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層、該透明基板及該平坦層共同于該元件區(qū)上圍繞一大抵密閉的空腔，且該第二間隔層圍繞該第一間隔層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一光學(xué)構(gòu)件，該光學(xué)構(gòu)件設(shè)置于該平坦層之上，且位于該空腔之中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片封裝體，其特征在于，該光學(xué)構(gòu)件包括濾光層、彩色濾光層、偏光層、透鏡、遮光層、或前述的組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層的高度小于該第二間隔層的高度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層直接接觸該第二間隔層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層不直接接觸該第二間隔層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層與該第二間隔層的材質(zhì)相同。

10.一種晶片封裝體，其特征在于，包括：

一基底，具有一第一表面及一第二表面；

一元件區(qū)，形成于該基底之中或設(shè)置于該基底之上；

一介電層，設(shè)置于該基底的該第一表面上；

至少一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)；

一平坦層，設(shè)置于該介電層之上；

一透明基板，設(shè)置于該基底的該第一表面上；

一第一間隔層，設(shè)置于該透明基板與該平坦層之間；以及

一第二間隔層，設(shè)置于該透明基板與該基底之間，其中該第二間隔層包括一本體部及一延伸部，該延伸部覆蓋于該本體部的表面且延伸至該介電層的一開口中而接觸該導(dǎo)電墊。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二間隔層的該延伸部覆蓋該本體部的一側(cè)表面。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體，其特征在于，該延伸部直接接觸該透明基板。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體，其特征在于，該延伸部直接接觸該第一間隔層。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該第二間隔層的該本體部與該延伸部的材質(zhì)相同。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層與該第二間隔層的材質(zhì)相同。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該第一間隔層、該透明基板及該平坦層共同于該元件區(qū)上圍繞一大抵密閉的空腔，且該第二間隔層圍繞該第一間隔層。