[發(fā)明專利]一種表面摻雜Au或Pt納米晶的敏感膜的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210553829.5
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN102965622A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設計）人: 李冬梅;陳鑫;梁圣法;詹爽;張培文;路程;謝常青;劉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/18;C23C14/58;G01N27/04
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種表面摻雜Au或Pt內米晶的敏感膜的制備方法，其特征在于，該方法先在耐高溫襯底上生長一層SnO₂或ZnO敏感膜，然后在該SnO₂或ZnO敏感膜上生長一層Au或Pt，最后在退火爐里退火得到表面摻雜Au或Pt內米晶的SnO₂或ZnO敏感膜。

2.根據權利要求1所述的表面摻雜Au/Pt納米晶的敏感膜的制備方法，其特征在于，所述耐高溫襯底為SiO₂或Al₂O₃襯底。

3.根據權利要求1所述的表面摻雜Au/Pt納米晶的敏感膜的制備方法，其特征在于，所述在耐高溫襯底上生長一層SnO₂或ZnO敏感膜，是采用電子束蒸發(fā)或者磁控濺射的方式實現(xiàn)的。

4.根據權利要求1所述的表面摻雜Au/Pt納米晶的敏感膜的制備方法，其特征在于，所述在耐高溫襯底上生長一層SnO₂或ZnO敏感膜，SnO₂或ZnO敏感膜的厚度為10nm-5000nm。

5.根據權利要求1所述的表面摻雜Au/Pt納米晶的敏感膜的制備方法，其特征在于，所述在該SnO₂或ZnO敏感膜上生長一層Au或Pt，是采用電子束蒸發(fā)的方式實現(xiàn)的。

6.根據權利要求1所述的表面摻雜Au/Pt納米晶的敏感膜的制備方法，其特征在于，所述在該SnO₂或ZnO敏感膜上生長一層Au或Pt，Au或Pt的厚度為

7.根據權利要求1所述的表面摻雜Au/Pt納米晶的敏感膜的制備方法，其特征在于，所述在退火爐里退火，是將表面生長有Au或Pt的SnO₂或ZnO敏感膜放入溫度為550℃-1000℃的退火爐里退火30分鐘至3小時。