[發明專利]形成低電阻線的方法和使用該方法制造薄膜晶體管的方法

有效

• 申請號: 201210553758.9
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN103681284B
• 公開（公告）日: 2017-12-05
• 發明（設計）人: 權五楠;金海烈
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國,鐘強

1.一種形成線的方法，該方法包括：

在基底層上順序地涂覆有機絕緣膜和金屬層；

通過去除所述金屬層的一部分暴露所述有機絕緣膜的一部分；

通過使用所述金屬層作為掩模來去除所述有機絕緣膜的暴露部分，在所述有機絕緣膜中形成凹槽；

在所述有機絕緣膜的凹槽中形成籽晶層；和

通過化學鍍方式或電鍍方式，在所述有機絕緣膜的凹槽中形成的籽晶層上鍍上鍍層材料，以形成由所述籽晶層和鍍層構成的線，

其中，所述基底層在形成柵極布線時由從硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)和磷硅酸鹽玻璃(PSG)中選擇的玻璃材料或塑料材料形成，或者在形成數據布線時由從硅氧化物膜和硅氮化物膜中選擇的無機絕緣膜形成。

2.根據權利要求1的方法，其中所述線是包括柵極的所述柵極布線，或者包括源極和漏極的所述數據布線。

3.根據權利要求1的方法，其中所述金屬層由選自鈦、鈦合金、鋁和鋁合金構成的集合中的材料形成。

4.根據權利要求1的方法，其中，所述籽晶層由選自鈀、鉑、金、銅、鉬、鉻和鈦構成的集合中的材料形成，所述鍍層由選自銀、金和銅構成的集合中的材料形成。

5.一種制造薄膜晶體管的方法，該方法包括：

在基底層上沉積金屬層；

通過去除所述金屬層的一部分來暴露所述基底層的一部分；

通過采用所述金屬層作為掩模來去除所述基底層的暴露部分，在所述基底層中形成凹槽；

在所述基底層的凹槽中形成籽晶層；和

通過化學鍍方式或電鍍方式，在所述基底層的凹槽中形成的籽晶層上鍍上鍍層材料，以形成由所述籽晶層和鍍層構成的線；

順序地沉積柵極絕緣膜、非晶硅膜和含有雜質的非晶硅膜以覆蓋所述柵極，并將所述非晶硅膜和含有雜質的非晶硅膜圖案化以形成半導體層；

通過使用權利要求1的方法，在上面形成有所述半導體層的基板的整個表面上的柵極絕緣膜上形成有機絕緣膜，在所述有機絕緣膜中形成凹槽或通孔，在所述凹槽或通孔中形成由籽晶層和鍍層構成的數據導電層；

將所述數據導電層圖案化以在所述半導體層上形成彼此面對的源極和漏極；和

通過使用所述源極和漏極作為掩模來去除在所述源極和漏極之間暴露的含有雜質的非晶硅膜，形成溝道。

6.一種制造薄膜晶體管的方法，該方法包括：

在基底層上形成柵極；

在上面形成有所述柵極的基底層的整個表面上順序地沉積柵極絕緣膜、非晶硅膜和含有雜質的非晶硅膜以覆蓋所述柵極，并將所述非晶硅膜和含有雜質的非晶硅膜圖案化以形成半導體層；

通過使用權利要求1的方法，在上面形成有所述半導體層的基板的整個表面上的柵極絕緣膜上形成有機絕緣膜，在所述有機絕緣膜中形成凹槽或通孔，在所述凹槽或通孔中形成由籽晶層和鍍層構成的數據導電層；

將所述數據導電層圖案化以在所述半導體層上形成彼此面對的源極和漏極；和

通過使用所述源極和漏極作為掩模來去除在所述源極和漏極之間暴露的含有雜質的非晶硅膜，形成溝道。