[發明專利]鰭式場效應晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201210552970.3
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN103871884A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 鄧浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供絕緣體上硅襯底，其包括硅基板、位于所述硅基板上方的埋入氧化層及位于所述埋入氧化層上方的頂層硅；

在所述絕緣體上硅襯底上形成硬掩模層圖形；

在所述硬掩模層圖形的兩側形成側墻；

以所述側墻及硬掩模層圖形為掩模對所述頂層硅進行刻蝕直至露出所述埋入氧化層，以形成倒T型鰭的初始結構；

去除所述硬掩模層圖形兩側的側墻之后，以所述硬掩模層圖形為掩模對未被所述硬掩模層圖形覆蓋住的倒T型鰭的初始結構進行刻蝕，以形成倒T型鰭，未被所述硬掩模層圖形覆蓋住的倒T型鰭的初始結構的被刻蝕深度等于倒T型鰭上部的高度，所述倒T型鰭上部的高度小于所述倒T型鰭的初始結構的高度；

形成所述倒T型鰭之后，形成鰭式場效應晶體管的柵極、源極及漏極。

2.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述硬掩模層圖形的材料與所述側墻的材料不相同，所述硬掩模層圖形的材料為SiO₂、SiON、SiN或BN，所述側墻的材料為SiO₂、SiON、SiN或BN。

3.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述側墻的形成方法包括：在所述絕緣體上硅襯底及硬掩模層圖形上形成側墻材料層，對所述側墻材料層進行回刻，殘留在硬掩模層圖形側壁上的側墻材料層形成所述側墻。

4.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述側墻利用濕法刻蝕去除。

5.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述柵極的數量為兩個，分別設置在所述倒T型鰭的兩側。

6.根據權利要求1所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，形成所述倒T型鰭之后、形成所述柵極之前還包括去除所述硬掩模層圖形的步驟，所述柵極的數量為三個，其中兩個柵極分別設置在所述倒T型鰭的兩側，另一個柵極設置在所述倒T型鰭的上方。

7.根據權利要求6所述的鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述硬掩模層圖形利用濕法刻蝕去除。