[發(fā)明專利]垂直結(jié)構(gòu)白光LED芯片及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210552348.2
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN103872189A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李明剛
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/50;H01L33/38
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種垂直結(jié)構(gòu)白光LED芯片的制備方法，其特征在于，包括：

S1.提供襯底；

S2.在所述襯底之上形成緩沖層；

S3.在所述緩沖層之上形成半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)；

S4.在所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)之上形成電流擴散層；

S5.在所述電流擴散層之上形成熒光粉涂覆層；

S6.在所述電流擴散層之上、所述熒光粉涂覆層之中形成第一電極；

S7.提供引入襯底，所述引入襯底作為支撐，倒置先前形成的外延結(jié)構(gòu)，所述引入襯底在第一預(yù)設(shè)溫度和外加電場下與所述熒光粉涂覆層和所述第一電極相固定；

S8.刻蝕所述襯底，蒸鍍電極材料，在所述襯底之中形成第二電極；以及

S9.加熱至第二預(yù)設(shè)溫度，再快速冷卻，將所述引入襯底與所述熒光粉涂覆層和所述第一電極分離，去除所述引入襯底。

2.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)白光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟S3進(jìn)一步包括：

S31.在所述緩沖層之上形成本征層；

S32.在所述本征層之上形成n型層；

S33.在所述n型層之上形成量子阱；

S34.在所述量子阱之上形成電子阻擋層；以及

S35.在所述電子阻擋層之上形成p型層。

3.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)白光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)溫度為300-700℃，所述第二預(yù)設(shè)溫度為700-900℃。

4.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)白光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述引入襯底與所述第一電極的熱膨脹系數(shù)不同。

5.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)白光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述襯底為藍(lán)寶石、LiAlO₂或LiGaO₂。

6.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)白光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述引入襯底為摻雜硅、摻雜鍺硅或MgAl₂O₄。

7.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)白光LED芯片的制備方法，其特征在于，所述步驟S7之后、所述步驟S8之前還包括：對所述襯底進(jìn)行通過機械減薄處理或者化學(xué)減薄處理中的一種或多種處理。

8.如權(quán)利要求1所述的垂直結(jié)構(gòu)白光LED芯片的制備方法，其特征在于，通過浸潤液分滴并旋涂的方式制備所述熒光粉涂覆層。

9.一種垂直結(jié)構(gòu)白光LED芯片，其特征在于，通過權(quán)利要求1-8任一項所述方法制成。