[發(fā)明專利]一種制備GaP薄膜材料的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210552003.7
• 申請日: 2012-12-19
• 公開（公告）號: CN103173715A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發(fā)明（設計）人: 劉興泉;張銘菊
• 申請（專利權）人: 常州星海電子有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/24;C30B23/02;C30B29/44
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 何學成

1.一種制備GaP薄膜材料的方法，其特征在于：以Ga₂O₃，P₂O₅以及還原萃取劑為原料，加入與固體原料質量50%~100%相當?shù)臒o水乙醇，研磨均勻后，用10~15MPa的壓力將其壓成厚度為1~10mm的片材，然后將其放置于反應器剛玉坩堝中，用高純氮氣抽真空，置換到氧氣濃度為ppm級，然后再用混合氣體抽真空置換1~2次，抽真空至7~13Pa，控制升溫速度在5~10℃/min范圍內，反應區(qū)加熱升溫至1200℃~1250℃范圍內,沉積區(qū)加熱升溫至600℃~800℃范圍內，恒溫3~4h，其間保持真空度不小于-0.08MPa；當反應區(qū)溫度達到預定溫度后，自然降溫至室溫，充入混合氣體至常壓后，即得到棕紅色的GaP薄膜。?

2.根據(jù)權利要求1所述的一種制備GaP薄膜材料的方法，其特征在于：按摩爾比計：所述的Ga₂O₃︰As₂O₃︰還原萃取劑為1.0︰1.0︰8.0?。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種制備GaP薄膜材料的方法，其特征在于：所述的還原萃取劑選用：活性炭、氫氣、氫氣-氬氣混合氣及碳氫化合物中的至少一種。?

4.根據(jù)權利要求1所述的一種制備GaP薄膜材料的方法，其特征在于：所述的混合氣體為Ar與H₂的混合氣體，所述的H₂體積占混合氣體總體積的10%~30%。?