[發明專利]一種再布線高密度AAQFN封裝器件及其制造方法有效
| 申請號: | 201210550161.9 | 申請日: | 2012-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN103050452A | 公開(公告)日: | 2013-04-17 |
| 發明(設計)人: | 秦飛;夏國峰;安彤;劉程艷;武偉;朱文輝 | 申請(專利權)人: | 北京工業大學 |
| 主分類號: | H01L23/31 | 分類號: | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人: | 劉萍 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 布線 高密度 aaqfn 封裝 器件 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及QFN元器件制造技術領域,尤其涉及到具有高I/O密度的四邊扁平無引腳封裝件及其制造方法。
背景技術
隨著電子產品如手機、筆記本電腦等朝著小型化,便攜式,超薄化,多媒體化以及滿足大眾化所需要的低成本方向發展,高密度、高性能、高可靠性和低成本的封裝形式及其組裝技術得到了快速的發展。與價格昂貴的BGA等封裝形式相比,近年來快速發展的新型封裝技術,即四邊扁平無引腳QFN(Quad?Flat?Non—lead?Package)封裝,由于具有良好的熱性能和電性能、尺寸小、成本低以及高生產率等眾多優點,引發了微電子封裝技術領域的一場新的革命。
由于IC集成度的提高和功能的不斷增強,IC的I/O數隨之增加,相應的封裝器件的I/O引腳數也相應增加,但是傳統的QFN封裝件器件的引腳圍繞芯片載體周邊呈單圈排列,限制了I/O數量的提高,滿足不了高密度、具有更多I/O數的IC的需要,因此出現了呈多圈引腳排列的QFN封裝器件,其中引腳圍繞芯片載體呈多圈排列,顯著提高了封裝器件的I/O引腳數。
圖1A和圖1B分別為具有多圈引腳排列的QFN封裝器件的背面示意圖和沿I-í剖面的剖面示意圖。該多圈引腳排列的QFN封裝結構包括芯片載體11,圍繞芯片載體11呈三圈排列的引腳12,塑封材料13,粘貼材料14,IC芯片15,金屬導線16。IC芯片15通過粘貼材料14固定在芯片載體12上,IC芯片15與四周排列的引腳12通過金屬導線16實現電氣連接,塑封材料13對IC芯片15、金屬導線16、芯片載體11和引腳12進行包封以達到保護和支撐的作用,引腳12裸露在塑封材料13的底面,通過焊料焊接在PCB等電路板上以實現與外界的電氣連接。底面裸露的芯片載體11通過焊料焊接在PCB等電路板上,具有直接散熱通道,可以有效釋放IC芯片15產生的熱量。
與傳統的單圈引腳排列的QFN封裝器件相比,多圈引腳排列的QFN封裝器件具有更高的引腳數量,滿足了IC集成度越來越高的要求。然而,為了提高QFN封裝器件的I/O數量,需要更多的區域放置多個引腳,因此需要增大QFN封裝器件的尺寸,這與封裝器件小型化的要求是相悖的,而且隨著封裝尺寸增大,芯片與引腳之間的距離會增加,導致金屬導線,如金(Au)線的使用量增加,增加了制造成本,過長的金屬導線在注塑工藝過程中極易引起金屬導線的塌陷、沖線以及交線等問題,影響了封裝器件的良率和可靠性的提升。因此,為了突破現有的多圈引腳排列QFN封裝器件的尺寸過大的瓶頸、解決上述良率和可靠性問題和降低制造成本,急需研發一種小尺寸、高可靠性、低成本、高I/O密度的QFN封裝器件及其制造方法。
發明內容
本發明提供了一種再布線的高密度面陣排列的AAQFN(Area?Array?Quad?Flat?Non—lead?Package)封裝器件及其制造方法,以達到突破傳統QFN封裝的低I/O數量、高封裝成本的瓶頸和提高封裝體的可靠性的目的。
為了實現上述目的,本發明采用下述技術方案:
一種再布線高密度AAQFN封裝器件,其特征在于,包括:
引腳在封裝器件中呈面陣排列;
絕緣填充材料配置于引腳與引腳之間;
IC芯片通過粘貼材料配置于封裝器件的中心位置;
第一金屬材料層圍繞IC芯片排列;
引腳通過再布線層實現與第一金屬材料層的連接;
第二金屬材料層配置于引腳的下表面;
IC芯片通過金屬導線連接至第一金屬材料層;
塑封材料包覆密封上述IC芯片、粘貼材料、金屬導線、第一金屬材料層和再布線層,僅僅暴露出配置于引腳下表面的第二金屬材料層。
所述一種再布線高密度AAQFN封裝器件的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
(a)采用曝光顯影方法,在金屬基材下表面形成具有窗口的掩膜材料層;
(b)以具有窗口的掩膜材料層作為抗蝕層,對金屬基材下表面進行蝕刻,形成引腳和凹槽,或以具有窗口的掩膜材料層作為抗鍍層,對金屬基材下表面進行電鍍,形成引腳和凹槽;
(c)移除配置于金屬基材下表面的掩膜材料層;
(d)采用注塑或者絲網印刷方法在引腳之間的凹槽中配置絕緣填充材料;
(e)采用曝光顯影方法,在金屬基材上表面位置制作具有窗口的掩膜材料層;
(f)以具有窗口的掩膜材料層作為抗蝕層,對金屬基材上表面進行蝕刻,形成再布線層以及獨立的引腳;
(g)移除配置于金屬基材上表面的掩膜材料層;
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