[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理方法及襯底處理裝置

有效

• 申請號: 201210549327.5
• 申請日: 2012-12-10
• 公開（公告）號: CN103165438A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 廣瀨義朗;佐野敦;渡橋由悟;橋本良知;島本聰
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/3115
• 分類號: H01L21/3115
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括通過進行規定次數如下循環而在所述襯底上形成包含規定元素的薄膜的工序，該循環包括：

通過交替地進行規定次數向襯底供給包含規定元素和鹵素的原料氣體的工序、和向所述襯底供給由碳、氮及氫這3種元素構成的組成式中碳原子的數量比氮原子的數量多的第一反應氣體的工序而形成包含所述規定元素、氮及碳的第一層的工序；

通過向所述襯底供給與所述原料氣體及所述第一反應氣體不同的第二反應氣體，對所述第一層進行改性而形成第二層的工序。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一反應氣體的組成式中具有多個包含碳原子的配位體。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一反應氣體的組成式中具有3個包含碳原子的配位體。

4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一反應氣體的組成式中具有2個包含碳原子的配位體。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一反應氣體包含胺及有機肼中的至少任意一種。

6.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一反應氣體包含從由乙胺、甲胺、丙胺、異丙胺、丁胺及異丁胺構成的組中選擇的至少一種胺。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一反應氣體包含從由三乙胺、二乙胺、三甲胺、二甲胺、三正丙胺、二正丙胺、三異丙胺、二異丙胺、三正丁胺、二正丁胺、三異丁胺及二異丁胺構成的組中選擇的至少一種胺。

8.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一反應氣體包含從由二乙胺、二甲胺、二正丙胺、二異丙胺、二正丁胺及二異丁胺構成的組中選擇的至少一種胺。

9.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一反應氣體是不含有硅的氣體。

10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一反應氣體是不含有硅和金屬的氣體。

11.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述規定元素包含硅或金屬，所述鹵素包含氯或氟。

12.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在形成所述第一層的工序中，將所述原料氣體所含有的所述鹵素和所述第一反應氣體所含有的氫作為氣體排出，并且在所述襯底上形成所述第一層。

13.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，

在供給所述原料氣體的工序中，形成包含所述規定元素和所述鹵素的初始層，

在供給所述第一反應氣體的工序中，使所述初始層和所述第一反應氣體反應而形成所述第一層。

14.如權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在供給所述第一反應氣體的工序中，使所述初始層和所述第一反應氣體反應，將所述初始層所含有的所述鹵素中的至少一部分從所述初始層抽出，并且使所述第一反應氣體所含有的配位體中的至少一部分從所述第一反應氣體分離。

15.如權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在供給所述第一反應氣體的工序中，使所述初始層和所述第一反應氣體反應，將所述初始層所含有的所述鹵素中的至少一部分從所述初始層抽出，并且使所述第一反應氣體所含有的配位體中的至少一部分從所述第一反應氣體分離，使所述配位體中的至少一部分分離了的所述第一反應氣體的氮和所述初始層所含有的所述規定元素鍵合。

16.如權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在供給所述第一反應氣體的工序中，使所述初始層和所述第一反應氣體反應，將所述初始層所含有的所述鹵素中的至少一部分從所述初始層抽出，并且使所述第一反應氣體所含有的配位體中的至少一部分從所述第一反應氣體分離，使所述配位體中的至少一部分分離了的所述第一反應氣體的氮和所述初始層所含有的所述規定元素鍵合，而且，使所述配位體所含有的碳和所述初始層所含有的所述規定元素鍵合。