[發明專利]一種電感耦合等離子裝置有效
| 申請號： | 201210548861.4 | 申請日： | 2012-12-17 |
| 公開（公告）號： | CN103874314A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發明（設計）人： | 王兆祥;楊平;劉志強;蘇興才 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H05H1/46 | 分類號： | H05H1/46;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電感 耦合 等離子 裝置 | ||
1.一種等離子體處理腔室，其中，包括：
腔體，其包括頂板，所述頂板構成一絕緣材料窗；
基片支撐裝置，設置于所述腔體內的絕緣材料窗下方；
射頻功率發射裝置，設置于所述絕緣材料窗上方，以發射射頻能量到所述腔體內；
氣體注入器，用于向所述腔體內供應處理氣體，
殼體，其設置于所述腔體內以及所述基片支撐裝置上方和所述氣體注入器下方，以限制處理氣體的流動，所述殼體上下皆開口，且其上開口的直徑大于所述下開口的直徑。
2.根據權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述殼體和所述基片支撐裝置之間的間隙的寬度是可調的。
3.根據權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述擋板由絕緣材料制成。
4.根據權利要求3所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述絕緣材料包括陽極化的鋁、陶瓷和石英的任一項。
5.根據權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述殼體的上開口直徑小于所述腔室的頂部寬度。
6.根據權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述殼體的下開口直徑的取值范圍為大于100mm。
7.根據權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述殼體的下開口位于所述基片支撐裝置的正上方外圍。
8.根據權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述氣體注入器與所述殼體上開口切線呈銳角設置。
9.根據權利要求8所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述氣體注入器與所述殼體上開口切線之間夾角的取值范圍為5°~60°。
10.根據權利要求1所述的等離子體處理腔室，其特征在于，所述等離子體處理腔室還包括一固定裝置，其用于將所述殼體固定于腔室內部。
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