[發明專利]互連結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210548617.8
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103871959B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 吳敏

1.一種互連結構的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成含碳的介質層；

采用含硅、氫的氣體對所述介質層進行表面處理，以形成用于抑制碳損失的保護層，所述含硅、氫的氣體為硅烷，硅烷的濃度為100～300毫克每立方米；

在所述保護層上形成硬掩模，形成硬掩模的步驟包括：通過等離子體增強正硅酸乙脂層沉積的方法形成所述硬掩模，所述等離子體為非氧的等離子體；

以所述硬掩模對所述介質層進行圖形化，以形成連接插塞。

2.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述介質層為低k介質層或超低k介質層。

3.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述介質層由二乙氧基甲基硅烷和原子轉移自由基聚合形成。

4.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述介質層的材料為SiCOH、SiCO或SiCON。

5.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述保護層的材料包含碳、硅、氫和氧。

6.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，采用硅烷對所述介質層進行表面處理的步驟包括：采用硅烷和氦氣對所述介質層進行表面處理。

7.如權利要求6所述的互連結構的制造方法，其特征在于，采用硅烷和氦氣對所述介質層進行表面處理的步驟中，氦氣的流量為2000～4000標況毫升每分；高頻的功率為300～600瓦特；低頻的功率為150～250瓦特；腔室內氣壓位于3～8托。

8.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，采用硅烷對所述介質層進行表面處理的步驟包括：采用硅烷和氬氣對所述介質層進行表面處理。

9.如權利要求8所述的互連結構的制造方法，其特征在于，采用硅烷和氬氣對所述介質層進行表面處理的步驟中，氬氣的流量為1000～2000標況毫升每分；高頻的功率為300～600瓦特；低頻的功率為150～250瓦特；腔室內氣壓位于3～8托。

10.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述硬掩模的材料為二氧化硅。

11.如權利要求1所述的互連結構的制造方法，其特征在于，以所述硬掩模對所述介質層進行圖形化的步驟包括：通過光刻和蝕刻的方法以所述硬掩模對所述介質層進行圖形化。

12.如權利要求11所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述蝕刻的步驟包括：通過濕法蝕刻進行圖形化。

13.如權利要求12所述的互連結構的制造方法，其特征在于，所述濕法蝕刻的步驟包括：通過稀釋的氫氟酸進行濕法蝕刻。

14.一種如權利要求1-13中任意一權利要求所述的互連結構的制造方法所形成的互連結構。