[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210546103.9
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103021943A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于海峰;封賓;林鴻濤
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced?Super?Dimension?Switch，簡稱ADS)，通過同一狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點(diǎn)。

ADS液晶顯示器與其他顯示器相比具有擴(kuò)大視角的優(yōu)點(diǎn)，在當(dāng)前平板顯示器市場占據(jù)了重要的地位。然而對于ADS液晶顯示器來說，陣列基板及其制造工藝決定了其產(chǎn)品的性能和價(jià)格。該陣列基板在傳統(tǒng)的工藝在Array段工藝過程中，會(huì)隨著像素區(qū)內(nèi)的TFT沉積形成的同時(shí)形成防靜電的ESD(Electro-Static?discharge，靜電釋放)組件回路，但是ESD回路往往形成于Array工藝的后期(像素電極沉積之后)，因此在Array工藝中，ESD組件還不能發(fā)揮其防靜電的作用，造成諸多此階段由靜電引發(fā)的各種不良。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，使ESD組件充分發(fā)揮其疏散電荷的作用，有效的降低了ESD的發(fā)生率。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種陣列基板的制造方法，包括：步驟A、在基板的一側(cè)依次形成第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的圖形，其中所述絕緣層上設(shè)置有至少一個(gè)過孔；步驟B、在形成所述第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的基板上依次形成柵金屬層和鈍化層，其中所述柵金屬層包括柵電極和柵線，所述柵金屬層通過所述至少一個(gè)過孔與所述第一導(dǎo)電層連接，形成將靜電疏散的通路。

根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種陣列基板，包括：基板；基板的一側(cè)依次形成有第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的圖形，其中所述絕緣層上設(shè)置有至少一個(gè)過孔；在形成有所述第一導(dǎo)電層、源漏電極、有源層和絕緣層的基板上依次形成有柵金屬層和鈍化層，其中所述柵金屬層包括柵電極和柵線，所述柵金屬層通過所述至少一個(gè)過孔與所述第一導(dǎo)電層連接，形成將靜電疏散的通路。

根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。

由上述技術(shù)方案可知，本發(fā)明的實(shí)施例具有如下有益效果：可以在Array工藝中提前多步工藝完成ESD回路的形成，使ESD組件充分發(fā)揮其疏散電荷的作用，有效的降低了ESD的發(fā)生率，減少了ESD所造成的諸多電學(xué)不良。

附圖說明

圖1表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中陣列基板的制造方法的流程圖；

圖2表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S101后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；

圖3表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S102后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；

圖4表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S103后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；

圖5表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S104后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；

圖6表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S105后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；

圖7表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S106后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；

圖8表示執(zhí)行圖1中制造方法的步驟S107后對應(yīng)的陣列基板的截面示意圖；

圖9表示本發(fā)明的實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面結(jié)合實(shí)施例和附圖，對本發(fā)明實(shí)施例做進(jìn)一步詳細(xì)地說明。在此，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及說明用于解釋本發(fā)明，但并不作為對本發(fā)明的限定。

在現(xiàn)有的TFT-LCD工藝中，ESD組件有效的起到將工藝中產(chǎn)生的電荷均勻擴(kuò)散的作用，但是傳統(tǒng)的ESD回路均是在ITO(氧化銦錫)層沉積后(即Array工藝結(jié)束后)才得以形成，因此在Array工藝過程中ESD組件不能發(fā)揮其擴(kuò)散電荷的作用。本發(fā)明的實(shí)施例以ADS模式產(chǎn)品為例，改變源漏電極、有源層、柵金屬層的沉積順序，相比于傳統(tǒng)的Array工藝可以提前形成ESD回路，有效的減少了Array段ESD對膜層以及像素造成的破壞。