[發明專利]圖形襯底及其制備方法

有效

• 申請號: 201210546014.4
• 申請日: 2012-12-17
• 公開（公告）號: CN103022293A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 許南發;黃慧詩
• 申請（專利權）人: 江蘇新廣聯科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/10
• 分類號: H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種圖形襯底，包括基本襯底（1），在基本襯底（1）的正面刻蝕形成以陣列形式排列的圖形凸起（2）；其特征是：所述圖形凸起（2）由多層凸起組成，每一層凸起的寬度自下而上遞減，上一層凸起的底部寬度與下一層凸起的頂部寬度相同。

2.如權利要求1所述的圖形襯底，其特征是：所述圖形凸起（2）的最上一層凸起的形狀為多邊錐形、多邊柱形、多邊梯形或多邊方臺形。

3.如權利要求1或2所述的圖形襯底，其特征是：所述圖形凸起（2）的最上一層凸起的形狀圓柱形、圓錐形、梯形圓臺、三角錐形、長方體形、方柱形、三棱柱、梯形臺、五棱錐形、五邊柱形、五棱梯臺、六棱錐形、六棱柱形或六棱梯臺形。

4.如權利要求1所述的圖形襯底，其特征是：所述基本襯底（1）為藍寶石襯底、碳化硅襯底或硅襯底。

5.如權利要求1所述的圖形襯底，其特征是：所述圖形凸起（2）的材料與基本襯底（1）的材料相同。

6.如權利要求1所述的圖形襯底，其特征是：所述圖形凸起（2）最上一層凸起的材料與基本襯底（1）的材料不同，圖形凸起（2）最上一層以下的凸起材料與基本襯底（1）的材料相同；所述圖形凸起（2）最上一層凸起的材料為SiO₂、Si₃N₄、ZnO₂、Si或GaAs。

7.如權利要求1所述的圖形襯底，其特征是：相鄰兩個圖形凸起（2）的頂部之間的距離為0.5~50μm，圖形凸起（2）的底面直徑為0.1~50μm。

8.一種圖形襯底的制備方法，其特征是，采用以下工藝步驟：

（1）提供具有正面和背面的基本襯底（1），基本襯底（1）采用藍寶石襯底、碳化硅襯底或硅襯底；在基本襯底（1）的上表面生成一層異質襯底（3a）得到復合襯底，異質襯底（3a）的厚度為0.5~2μm，異質襯底（3a）的材料為SiO₂、Si₃N₄、ZnO₂、Si或GaAs；

（2）對復合襯底進行清洗；

（3）在復合襯底的導質襯底（3a）上表面涂光刻膠（4a），涂膠厚度為0.5~4μm，進行曝光顯影，露出需要刻蝕的區域；

（4）采用干法刻蝕和濕法刻蝕分別刻蝕一次，總的刻蝕深度為0.1~4μm，在基本襯底（1）的正面刻蝕得到圖形凸起（2），圖形凸起（2）以陣列形式排列在基本襯底（1）的正面，圖形凸起（2）由多層寬度自下而上依次遞減的凸起組成；相鄰兩個圖形凸起（2）的頂部之間的距離為0.5~50μm，圖形凸起（2）的底面直徑為0.1~50μm；

（5）將步驟（4）刻蝕后的復合襯底進行清洗，清洗去剩余的光刻膠，得到所述的圖形襯底。

9.一種圖形襯底的制備方法，其特征是，采用以下工藝步驟：

（1）提供具有正面和背面的基本襯底（1），基本襯底（1）采用藍寶石襯底、碳化硅襯底或硅襯底；

（2）在基本襯底上表面涂光刻膠（4a），涂膠厚度為0.5~4μm，進行曝光顯影，露出需要刻蝕的區域；

（3）采用干法刻蝕和濕法刻蝕分別刻蝕一次，總的刻蝕深度為0.1~4μm，在基本襯底（1）的正面刻蝕得到圖形凸起（2），圖形凸起（2）以陣列形式排列在基本襯底（1）的正面，圖形凸起（2）由多層寬度自下而上依次遞減的凸起組成；相鄰兩個圖形凸起（2）的頂部之間的距離為0.5~50μm，圖形凸起（2）的底面直徑為0.1~50μm；

（4）將步驟（3）刻蝕后的基本襯底進行清洗，清洗去剩余的光刻膠，得到所述的圖形襯底。