[發明專利]半導體器件和制造該半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201210544128.5
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103178048B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 井上尚也;金子貴昭;林喜宏
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 李蘭,孫志湧

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

第一互連層，所述第一互連層提供在上述襯底上方；

第二互連層，所述第二互連層提供在所述第一互連層上方；

第一層間絕緣層，所述第一層間絕緣層提供在所述第一互連層中；

半導體層，所述半導體層提供在所述第二互連層中并且與所述第一層間絕緣層接觸；

柵極絕緣膜，所述柵極絕緣膜提供在所述半導體層上方；

柵電極，所述柵電極提供在所述柵極絕緣膜上方；以及

至少兩個第一通路，所述至少兩個第一通路提供在所述第一互連層中并且通過其上端與所述半導體層接觸。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述襯底是半導體襯底。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

第二互連，所述第二互連提供在所述第二互連層中并且提供在平面圖中與所述柵電極的位置不同的位置處，

其中，所述柵電極由如所述第二互連的材料形成。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

在平面圖中，所述第一通路中的至少一個與所述柵電極的一部分重疊。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中

在平面圖中，至少兩個第一通路形成在所述柵電極的范圍之內。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

所述柵電極包含Al。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中

與所述半導體層接觸的所述第一層間絕緣層的上表面與所述第一通路的上表面互相平齊。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

第二層間絕緣層，所述第二層間絕緣層提供在所述第二互連層中并且提供在所述第一層間絕緣層、所述柵極絕緣膜和所述柵電極上方；以及

第二通路，所述第二通路提供在所述第二互連層中并且通過其下端與所述柵電極接觸。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，進一步包括：

第三互連層，所述第三互連層提供在所述第二互連層上方；以及

第三互連，所述第三互連提供在所述第三互連層中并且提供在平面圖中至少重疊所述第二通路的位置處，并且與所述第二通路整體地形成。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，進一步包括：

第三互連層，所述第三互連層提供在所述第二互連層上方；以及

第三互連，所述第三互連提供在所述第三互連層中、與所述第二通路接觸，并且由與所述第二通路的材料不同的材料形成。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

第一晶體管，所述第一晶體管提供在所述襯底的表面層附近。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中

在平面圖中，所述第一晶體管與所述半導體層的一部分重疊。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，提供有至少兩個的所述第一通路中的一個是源電極，所述第一通路中的另一個是漏電極，在平面圖中在所述第一通路中的所述另一個位于與所述源電極相對的一側，并且和所述源電極之間安置有所述柵電極的一部分，并且

其中，在平面圖中所述柵電極的中心和所述漏電極之間的距離長于在平面圖中所述柵電極的中心和所述源電極之間的距離。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，進一步包括：

第一晶體管，所述第一晶體管提供在所述襯底的表面層附近；

內部電路，所述內部電路包括所述第一晶體管；以及

電極焊盤，所述電極焊盤提供在多層互連層的最上互連層中，用于向所述內部電路提供信號，

其中，所述半導體層、所述柵極絕緣膜、所述柵電極和所述第一通路形成第二晶體管，并且

其中，所述內部電路通過所述第二晶體管連接到所述電極焊盤。