[發明專利]一種絕緣導熱粉體、材料及其制備方法

有效

• 申請號: 201210543932.1
• 申請日: 2012-12-14
• 公開（公告）號: CN103865496B
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 胡軍輝;劉建州
• 申請（專利權）人: 深圳市百柔新材料技術有限公司
• 主分類號: C09K5/14
• 分類號: C09K5/14;H01B17/60;H01B17/64;C08L101/00;C08L21/00;C08K9/10;C08K3/04;C08K3/22;C09D7/12;C09D5/25
• 代理公司: 深圳市神州聯合知識產權代理事務所(普通合伙)44324
• 代理人: 鄧揚

1.一種絕緣導熱粉體的制備方法，其特征在于，該方法包括：

將石墨粉和液態的有機金屬化合物添加到高壓反應釜中，攪拌1～30分鐘后，再加壓靜置0.5～10小時，使有機金屬化合物滲透到單個石墨晶粒的碳原子層之間和兩石墨晶粒間隙，將反應物從高壓反應釜中倒出后，過濾，再將濾渣加熱或煅燒，使有機金屬化合物分解成金屬氧化物，制得絕緣導熱粉體；

該絕緣導熱粉體包括石墨插層復合物顆粒，所述石墨插層復合物顆粒的微觀結構包括多個石墨晶粒、分布在單個石墨晶粒的碳原子層之間以及分布在兩石墨晶粒間隙的納米級導熱絕緣金屬氧化物，所述石墨插層復合物顆粒表面還包覆有導熱絕緣金屬氧化物；該絕緣導熱粉體還包括分離于石墨插層復合物外的導熱絕緣金屬氧化物顆粒，按照重量百分比計，所述絕緣導熱金屬氧化物顆粒和石墨插層復合物顆粒分別占0.1％～20％和80％～99.9％；所述石墨插層復合物的粒徑為100nm～100μm，所述分布在單個石墨晶粒的碳原子層之間以及分布在兩石墨晶粒間隙的納米級導熱絕緣金屬氧化物的厚度范圍為0.01～100nm，所述石墨插層復合物表面的金屬氧化物的的厚度范圍為1～500nm；納米級的導熱絕緣金屬氧化物包括納米氧化鋁和納米氧化鈦的一種或多種；所述絕緣導熱粉體分散于所述絕緣基料中，按重量百分比計，所述絕緣導熱粉體和絕緣基料的重量百分比分別為：1～90％和10％～99％；所述基料為塑料、橡膠或可成膜樹脂。

2.根據權利要求1所述的絕緣導熱粉體的制備方法，其特征在于，所述高壓反應釜中的壓強為5～20個標準大氣壓。

3.根據權利要求1所述的絕緣導熱粉體的制備方法，其特征在于，所述有機金屬化合物包括有機鋁和有機鈦中的一種或多種。

4.一種如權利要求1所述的絕緣導熱材料的制備方法，其特征在于，該方法包括：按重量份計，將1～90份的絕緣導熱粉體分散到10～99份的基料中，形成絕緣導熱材料；所述基料為塑料、橡膠或可成膜樹脂。