[發(fā)明專利]一種拉制直徑80mm高電阻率區(qū)熔單晶硅的工藝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210539425.0 | 申請日： | 2012-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN103866376A | 公開（公告）日： | 2014-06-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李明飛;劉志偉;閆志瑞;陳海濱;付斌;黃龍輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 有研半導體材料股份有限公司;國泰半導體材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B13/00 | 分類號： | C30B13/00;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩蘭 |
| 地址： | 100088 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 拉制 直徑 80 mm 電阻率 單晶硅 工藝 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種拉制直徑80mm高電阻率區(qū)熔單晶硅的工藝方法，電阻率可達4000-5000Ω·cm，它包括以下工序：將籽晶和多晶硅對中，抽真空，通氬氣，預熱，熔接，縮細頸，放肩及放肩至等徑，收尾工序，其特征在于：所用的多晶料為高純度REC多晶硅料，所用多晶料的直徑大于拉制獲得的單晶，多晶料與單晶直徑比控制為3∶2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種拉制高電阻率區(qū)熔單晶硅的工藝方法，其特征在于：在放肩過程中腰的寬度控制在15-20mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種拉制高電阻率區(qū)熔單晶硅的工藝方法，其特征在于：放肩至等徑、直到收尾工序，下軸走速控制在3-3.2mm/min。
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