[發(fā)明專利]等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210537698.1
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103866281A
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭友山;楊斌
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/02
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備，包括上電極板、下電極板、射頻蓋和擴散板；所述上電極板通過所述射頻蓋與射頻電源連通，所述下電極板接地；所述射頻蓋上設(shè)有進氣管，所述射頻蓋與所述上電極板連接形成勻流腔；所述上電極板開設(shè)有若干通孔，所述上電極板下方為反應(yīng)腔，所述下電極板位于所述反應(yīng)腔中；其特征在于，所述等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備，還包括驅(qū)動器；

所述擴散板位于所述進氣管下方，且與所述驅(qū)動器相連，所述驅(qū)動器帶動所述擴散板相對所述射頻蓋上下移動。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備，還包括罩在所述射頻蓋上方的屏蔽罩，所述驅(qū)動器設(shè)置于所述屏蔽罩外。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述擴散板上固連有升降軸，所述驅(qū)動器的運動軸通過聯(lián)軸器與所述升降軸聯(lián)接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述進氣管的上半段包含有波紋管，所述升降軸貫穿于所述進氣管中；

所述進氣管側(cè)面設(shè)有進氣孔，所述進氣管的上端與所述升降軸通過焊接密封。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述進氣管下端與所述射頻蓋之間通過密封圈或者金屬密封圈密封。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述擴散板呈圓形平板狀、橢圓形平板狀、圓錐狀或橢圓錐狀。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述擴散板上開設(shè)有若干透氣孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述驅(qū)動器為直線電機、絲杠機或氣缸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述下電極板下端固連有主軸，所述下電極板通過所述主軸接地，所述主軸可帶動所述下電極板上下移動。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備，其特征在于，所述上電極板開設(shè)有若干通孔，工藝氣體通過所述通孔流至所述反應(yīng)腔。