[發明專利]薄膜光電電池及其形成方法

有效

• 申請號: 201210537151.1
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN103187459A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 李文欽;余良勝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種薄膜光電電池，包括：

第一電極層，形成在襯底上；

第一摻雜劑類型的吸收層，形成在所述第一電極層上，所述吸收層具有從所述吸收層的頂面部分地延伸至所述吸收層內的開口，所述開口具有側壁和底面；

第二摻雜劑類型的緩沖層，形成在所述吸收層的頂面、所述開口的側壁、以及所述開口的底面上；以及

第二電極層，形成在所述緩沖層上。

2.根據權利要求1所述的光電電池，還包括：

阻擋層，形成在所述襯底上，其中，所述第一電極層形成在所述阻擋層上。

3.一種用于形成薄膜光電電池的方法，包括：

在襯底上形成導電的第一電極層；

在所述第一電極層上形成具有第一摻雜劑類型的吸收層；

形成從所述吸收層的頂面部分地延伸至所述吸收層內的開口，所述開口限定出具有側壁和底面的吸收層內溝槽；

在所述吸收層的頂面、所述溝槽的側壁、以及所述溝槽的底面上形成具有第二摻雜劑類型的緩沖層；以及

在所述緩沖層上形成第二電極層。

4.根據權利要求3所述的形成薄膜光電電池的方法，還包括：

在所述吸收層的頂面中形成所述開口，使得所述溝槽的底面和所述吸收層的底面之間的厚度為約0.5μm或者更大。

5.根據權利要求4所述的形成薄膜光電電池的方法，還包括：

在所述吸收層的頂面中形成所述開口，從而使得所述吸收層內溝槽的縱橫比介于約0.01到約2之間。

6.根據權利要求4所述的形成薄膜光電電池的方法，還包括：

在所述吸收層的頂面中形成多個開口以限定出多個吸收層內溝槽，每個開口從所述吸收層的頂面部分地延伸至所述吸收層內。

7.根據權利要求4所述的形成薄膜光電電池的方法，還包括：

在所述第一電極層中形成開口，所述開口限定出延伸穿過所述第一電極層的垂直溝道；以及

至少部分地用來自所述吸收層的材料填充所述第一電極層中的所述開口，從而將所述吸收層連接到所述襯底。

8.根據權利要求4所述的形成薄膜光電電池的方法，還包括：

在所述緩沖層和所述吸收層中形成開口，所述開口限定出延伸穿過所述緩沖層和所述吸收層的垂直溝道；以及

至少部分地用來自所述第二電極層的材料填充所述緩沖層和所述吸收層中的所述開口，以將所述第二電極層電連接到所述第一電極層。

9.根據權利要求4所述的形成薄膜光電電池的方法，還包括：

形成限定出延伸穿過所述第二電極層、所述緩沖層、以及所述吸收層的垂直溝道的開口。

10.一種用于形成薄膜光電電池的方法，包括：

在襯底上形成導電的第一電極層；

形成限定出延伸穿過所述第一電極層的垂直溝道的開口；

在所述第一電極層上形成具有第一摻雜劑類型的吸收層；

至少部分地用來自所述吸收層的材料填充所述第一電極層中的所述開口，從而將所述吸收層連接到所述襯底；

形成從所述吸收層的頂面部分地延伸至所述吸收層內的開口，以限定出具有側壁和底面的吸收層內溝槽；

在所述吸收層的頂面、所述溝槽的側壁、以及所述溝槽的底面上形成具有第二摻雜劑類型的緩沖層；

形成限定出延伸穿過所述緩沖層和所述吸收層的垂直溝道的開口；

在所述緩沖層上形成第二電極層；以及

至少部分地用來自所述第二電極層的材料填充所述緩沖層和所述吸收層中的所述開口，從而將所述第二電極層電連接到所述第一電極層。