[發明專利]陣列基板及其制備方法、有機發光二極管顯示裝置有效
| 申請號: | 201210536704.1 | 申請日: | 2012-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN103000638A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 宋泳錫;劉圣烈;崔承鎮;金熙哲 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅建民;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 有機 發光二極管 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明屬于有機發光二極管顯示技術領域,具體涉及一種陣列基板及其制備方法、有機發光二極管顯示裝置。
背景技術
有機發光二極管(OLED,Organic?Light?Emitting?Diode)是一種有機薄膜電致發光器件,其具有制備工藝簡單、成本低、發光效率高、易形成柔性結構等優點。因此,利用有機發光二極管的顯示技術已成為一種重要的顯示技術。
有機發光二極管顯示裝置包括多個像素單元,每個像素單元中設有一個有機發光二極管,通過控制各有機發光二極管的電流即可控制它們的發光強度,從而實現顯示。其中,顯示器上的每個“可見像素”由多個相鄰且發出不同顏色光的像素單元構成,各像素單元發出的光混合后成為該“可見像素”發出的光;組成“可見像素”的像素單元的顏色(即彩膜的顏色)可有多種不同模式,例如RGB(紅綠藍)模式(即一個紅色像素單元、一個綠色像素單元、一個黃色像素單元組成一個“可見像素”)、RGBW(紅綠藍白)模式、RGBY(紅綠藍黃)模式等。
由于白光有機發光二極管(WOLED)的技術比較成熟,發光效率高,因此其在有機發光二極管顯示裝置中獲得了廣泛應用。
如圖1所示,白光有機發光二極管顯示裝置的一個“可見像素”可包括設于基板7上的紅、綠、藍三個像素單元9R、9G、9B(當然也可為其他模式),各像素單元9R、9G、9B中設有薄膜晶體管(TFT)驅動層1,在薄膜晶體管驅動層1上依次設有陽極(第一電極21)、發光層23、陰極(第二電極22)、封閉層8(Encapsulation)、相應顏色的彩膜3R、3G、3B(又稱彩色濾光片)。其中,陽極、發光層23、陰極構成有機發光二極管2,薄膜晶體管驅動層1可獨立驅動各像素單元9R、9G、9B的陽極,從而使各有機發光二極管2發出不同亮度的光,這些光經過相應的彩膜3R、3G、3B后成為不同顏色,并混合成為“可見像素”所發的光。
為提高發光效率,可在有機發光二極管顯示裝置中形成微腔(Micro?Cavity)結構。微腔結構是指在一反射層和一半反半透層間形成的厚度為微米量級的結構,光線會在兩層間不斷反射,由于諧振作用,故最終從半反半透層射出的光線中特定波長的光會得到加強,而該得到加強的波長與微腔厚度有關。
在白光有機發光二極管顯示裝置中,不同像素單元是用于發出不同顏色的光的,因此不同像素單元處的微腔應能使不同波長的光(與其彩膜顏色相同的光)獲得增強,即不同像素單元處的微腔厚度應不同。為達到這一目的,可如圖2所示,在白光有機發光二極管顯示裝置中以陰極為半反半透層6,而將陽極設為透明層,并在陽極下方增設反射層4;這樣,只要調節各陽極的厚度即可控制相應像素單元9R、9G、9B的微腔結構的厚度。
發明人發現現有技術中至少存在如下問題:陣列基板的各陽極是處于同一層中的,原本可在一次構圖工藝中同時形成,但在具有微腔的白光有機發光二極管顯示裝置中,各像素單元中的陽極厚度不同,故它們要在多次構圖工藝中分別形成,或者在構圖工藝中要使用雙色調掩膜板,而這些都會導致制備工藝復雜、成本高。
發明內容
本發明所要解決的技術問題包括,針對現有技術中的具有微腔結構的陣列基板制備工藝復雜、成本高的問題,提供一種制備工藝簡單、成本低的陣列基板。
解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種陣列基板,包括多個位于基板上的像素單元,所述像素單元包括:薄膜晶體管驅動層;比所述薄膜晶體管驅動層更遠離基板并受薄膜晶體管驅動層驅動的有機發光二極管,在遠離基板的方向上有機發光二極管依次包括透明的第一電極、發光層、第二電極,其中,所述第二電極為半反半透層,或所述第二電極透明且其上設有半反半透層;反射層,其位于所述薄膜晶體管驅動層與有機發光二極管間,且與所述半反半透層形成微腔結構;位于所述反射層與有機發光二極管間、且處于微腔結構中的彩膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





