[發明專利]液晶顯示面板的內置高電平產生電路有效
| 申請號: | 201210536542.1 | 申請日: | 2012-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN102982780A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 段立忠;陳秀宗 | 申請(專利權)人: | 中穎電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/36 | 分類號: | G09G3/36 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 徐潔晶;陳亮 |
| 地址: | 200335 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶顯示 面板 內置 電平 產生 電路 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示面板的行驅動器(gate?driver)開關控制技術領域,具體來說,本發明涉及一種液晶顯示面板的內置高電平產生電路。
背景技術
目前,a-si?TFT?LCD(非晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板)、p-si?TFT?LCD(低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板)、AMOLED(有源矩陣有機發光二極體面板)采用的GIP(gate?driver?in?panel,行驅動器集成在面板上)技術,是將行驅動器(gatedriver)集成在面板(panel)上,減小了行掃描信號接入面板的阻抗,技術上提升了面板的顯示效果。另外,因為驅動芯片(driver?IC)到面板的行驅動器走線減少,面板顯示區到面板邊緣的的距離變窄,從而提高了面板的利用率,直接增加了面板廠的利潤。因此各大面板廠爭相開發GIP技術,特別是智能手機用的高分辨屏的強大需求,更推動著GIP技術的發展,這也將會成為面板行業的趨勢。而對于驅動芯片的廠商,因為GIP技術的采用,從而驅動芯片的面積得以減小,一片wafer(晶圓)上能切出更多的驅動芯片,從而能降低單顆驅動芯片的成本。
圖1為現有技術中的一種液晶顯示面板的高電平產生電路原理圖。如圖1所示,現有的做法是由驅動芯片101中的VGH/VGL電荷泵102產生并經電平轉換電路(level?shifter)103電平轉換形成VGH/VGL,再提供給面板104的行驅動器105,這樣容易因面板104導線阻抗造成VGH/VGL有效電平降低(VGL:-7V~-15V;VGH:7V~18V);而驅動芯片101(電壓范圍為-15V~+18V)因需要使用高壓工藝,導致成本增加。圖1中GOUT為驅動芯片101到行驅動器105的控制信號。
可見,現有的GIP技術將行驅動器集成在了面板上,但卻不包括VGH/VGL(分別為連接在液晶顯示面板行掃描線上的薄膜晶體管的開啟電壓/關斷電壓)高電平產生電路,這造成驅動芯片中的電荷泵(charge?pump)需另行產生32V的VGH/VGL電源。由此,一方面造成驅動芯片設計制造成本增加,另一方面因需另行連接到面板端,造成有效VGH/VGL電平降低。
另外,驅動芯片控制面板上的薄膜晶體管(TFT)開啟/關閉所需的行控制(gatecontrol)信號幅度(VGH-VGL)高達32V,所以驅動芯片需要用到高壓工藝,這對于驅動芯片的廠商來說增加了生產的成本。
發明內容
本發明所要解決的一個技術問題是提供一種液晶顯示面板的內置高電平產生電路,能夠使面板的驅動芯片減少電路面積,同時不再需要成本昂貴的高壓工藝,降低了生產成本。
本發明所要解決的另一個技術問題是提供一種液晶顯示面板的內置高電平產生電路,能夠使面板上薄膜晶體管的開啟電壓/關斷電壓由面板自行產生,減少因連接阻抗導致的有效電平的降低。
為解決上述技術問題,本發明提供一種液晶顯示面板的內置高電平產生電路,包括:
驅動芯片;
VGH/VGL電荷泵,與所述驅動芯片相連接,用于根據所述驅動芯片的控制信號產生高壓VGH/VGL,VGH和VGL分別為所述液晶顯示面板上薄膜晶體管的開啟電壓和關閉電壓;
兩個第一電平轉換電路,分別與各自側邊的行驅動器、所述VGH/VGL電荷泵和所述驅動芯片相連接,用于將所述驅動芯片產生的控制信號電壓域也轉換到VGL~VGH,并一起輸送到所述行驅動器,以產生行掃描信號;
第二電平轉換電路,分別與所述驅動芯片和所述VGH/VGL電荷泵相連接,用于根據所述驅動芯片的指令控制所述VGH/VGL電荷泵的工作狀態;
其中,所述VGH/VGL電荷泵、兩個所述第一電平轉換電路及所述第二電平轉換電路均內置于所述液晶顯示面板中且獨立于所述驅動芯片之外。
可選地,所述內置高電平產生電路還包括反饋線路,連接于所述VGH/VGL電荷泵的輸出端與所述驅動芯片之間以及所述VGH/VGL電荷泵的輸出端與所述第二電平轉換電路之間,用于產生更精確控制的所述VGH/VGL電壓。
可選地,所述VGH的大小范圍為7V~18V;所述VGL的大小范圍為-7V~-15V。
可選地,輸送到所述第一電平轉換電路的控制電壓范圍為-6.5V~+6.5V。
可選地,所述驅動芯片的電壓范圍為-6.5V~+6.5V。
與現有技術相比,本發明具有以下優點:
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