[發明專利]一種可獲得高拋光速率的單晶硅晶圓片拋光工藝

有效

• 申請號: 201210534575.2
• 申請日: 2012-12-12
• 公開（公告）號: CN102962756A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 王丹;垢建秋;劉建偉;孫晨光;武衛
• 申請（專利權）人: 天津中環領先材料技術有限公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02
• 代理公司: 天津中環專利商標代理有限公司 12105
• 代理人: 王鳳英

1.一種可獲得高拋光速率的單晶硅晶圓片拋光工藝，其特征在于，在粗拋光工藝中采用美國杜邦SR330粗拋光液，將該粗拋光液與純水稀釋比例為1:20～1:40，稀釋后的粗拋光液流量為24.0±0.5L/min，并采用羅門哈斯SUBA600拋光墊，所述粗拋光工藝分成三個步驟進行拋光，其各個步驟設定的工藝參數如下：

步驟一：使用粗拋光液進行拋光，拋光時間10s；大盤轉速25±2rpm；中心導輪轉速50±2rpm；壓力50±3kPa；?

步驟二：使用粗拋光液進行拋光，拋光時間10±3?min；大盤轉速40±2rpm；中心導輪轉速80±2rpm；壓力150±50kPa；

步驟三：使用純水進行拋光，拋光時間40s；大盤轉速25±2rpm；中心導輪轉速50±2rpm；壓力50±3kPa。