[發(fā)明專利]一種MMC拓?fù)渥儞Q器高效電磁暫態(tài)仿真方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210533981.7
• 申請(qǐng)日: 2012-12-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103116665A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊兵建;楊岳峰;謝敏華;王韌秋;湯廣福;包海龍;何維國(guó)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 國(guó)網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院;中電普瑞電力工程有限公司;上海市電力公司;國(guó)家電網(wǎng)公司
• 主分類號(hào): G06F17/50
• 分類號(hào): G06F17/50
• 代理公司: 北京安博達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國(guó)文

1.一種MMC拓?fù)渥儞Q器高效電磁暫態(tài)仿真方法，其特征在于，

（1）建立子模塊的戴維寧等效電路，得到串聯(lián)子模塊的戴維寧等效電路；

（2）打開(kāi)PSCAD，運(yùn)行Fortran腳本編輯自定義模塊；

（3）用自定義模塊替換至少一個(gè)子模塊；

（4）在PSCAD的自定義模塊中用狀態(tài)位表示IGBT狀態(tài)，用數(shù)組表示電容電壓和子模塊電流等變量；

（5）用差分方程計(jì)算子模塊電容電壓和子模塊電流。

2.如權(quán)利要求1所述的電磁暫態(tài)仿真方法，其特征在于，步驟（1）建立子模塊的戴維寧等效電路的步驟包括：

1）將IGBT等效為雙態(tài)電阻；

2）確定IGBT開(kāi)關(guān)狀態(tài)；

3）根據(jù)所述IGBT開(kāi)關(guān)狀態(tài)，將子模塊等效為由電阻和電容構(gòu)成的無(wú)源一端口網(wǎng)絡(luò)。

3.如權(quán)利要求2所述的電磁暫態(tài)仿真方法，其特征在于，在構(gòu)成的無(wú)源一端口網(wǎng)絡(luò)時(shí)，使用梯形積分法，對(duì)電容電壓暫態(tài)方程進(jìn)行離散化，得：

Vc(t)=1C∫0tIc(t)≈Vc(t-ΔT)+1C(Ic(t-ΔT)+Ic(t)2)ΔT---(1);]]>

將式（1）中不含有當(dāng)前電流值Ic(t)的項(xiàng)合并，得到下式（2），即將電容等效為一個(gè)等效電壓源和一個(gè)電阻，

V_c(t)＝R_cI_c(t)+V_cEQ(t)（2）；

其中，

Rc=ΔT2C---(3);]]>

VcEQ(t)=ΔT2CIc(t-ΔT)+Vc(t-ΔT)---(4);]]>

其中，等效電路計(jì)算得到電容電流的表達(dá)式為：

Ic(t)=ISMR2-VcEQ(t)R1+R2+Rc---(5);]]>

式中R1，R2的值取決于IGBT的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。