[發明專利]層壓式陶瓷電子元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210532183.2
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN103578762B
• 公開（公告）日: 2018-05-04
• 發明（設計）人: 尹碩晛;李炳華;金昶勛;權祥勛
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司11286
• 代理人: 金光軍,劉奕晴

相關申請的交叉引用

本申請要求在韓國知識產權局申請的申請號為10-2012-0079526、申請日為2012年7月20日的韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的全部內容在此通過引用合并于本申請。

技術領域

本發明涉及一種具有優異的防潮性能的高電容的層壓式陶瓷電子元件及其制造方法。

背景技術

近來，由于電子產品已經小型化，因此對小型的、高電容的層壓式陶瓷電子元件的需求增大。

因此，已經嘗試通過多種方法對電介質材料和內電極進行薄型化并增加層壓層數。目前，已經制造出具有薄型化的電介質層和增加的層壓層數的層壓式陶瓷電子元件。

另外，為了實現電介質層的薄型化，目前，已經制造出由包含有精細的陶瓷粉末的電介質層所形成的陶瓷電子部件。

另外，為了滿足對小型化以及高電容需求的增加，作為非電容形成部分的覆蓋層的厚度也減小。

由此引發了層壓式陶瓷電子元件的防潮性能（humidity resistance characteristics）方面的問題，并因此產生層壓式陶瓷電子元件的可靠性降低的問題。

另外，由于防潮性能的問題，可能導致層壓式陶瓷電子元件的壽命縮短。

發明內容

本發明一方面提供一種具有優異的防潮性能的高電容的層疊式陶瓷電子元件，以及該層疊式陶瓷電子元件的制造方法。

根據本發明的一個方面，提供一種層壓式陶瓷電子元件，該層壓式陶瓷電子元件包括：陶瓷本體，該陶瓷本體包括電介質層；以及第一內電極和第二內電極，所述第一內電極和所述第二內電極彼此相對設置，在所述陶瓷本體中所述電介質層插入所述第一內電極和所述第二內電極之間；其中，所述陶瓷本體包括：活性層，該活性層是電容形成部分；以及覆蓋層，該覆蓋層是非電容形成部分，該覆蓋層形成在所述活性層的頂面和底面中的至少一者上；并且，當所述陶瓷本體的厚度為t而所述覆蓋層的厚度為T時，滿足T≤t×0.05；當所述活性層中的電介質顆粒的平均粒徑為Da而所述覆蓋層中的電介質顆粒的平均粒徑為Dc時，滿足0.7≤Dc/Da≤1.5。

在所述覆蓋層沿厚度方向分成三個相等部分的情形中，當所述三個相等部分中的最外層部分中的電介質顆粒的平均粒徑為Dc1而所述三個相等部分中的中間層部分中的電介質顆粒的平均粒徑為Dc2時，可以滿足1.11≤Dc1/Dc2≤2.91。

Dc1和Dc2的比值可以滿足1.56≤Dc1/Dc2≤2.63。

在所述覆蓋層沿厚度方向分成三個相等部分的情形中，當所述三個相等部分中的最外層部分中的電介質顆粒的平均粒徑為Dc1而所述三個相等部分中的底層部分中的電介質顆粒的平均粒徑為Dc3時，可以滿足1.13≤Dc1/Dc3≤4.88。

Dc1和Dc3的比值可以滿足1.74≤Dc1/Dc3≤3.59。

根據本發明的另一方面，提供一種層壓式陶瓷電子元件，該層壓式陶瓷電子元件包括：陶瓷本體，該陶瓷本體包括電介質層；以及第一內電極和第二內電極，所述第一內電極和所述第二內電極彼此相對設置，在所述陶瓷本體中所述電介質層插入所述第一內電極和所述第二內電極之間；其中，所述陶瓷本體包括：活性層，該活性層是電容形成部分；以及覆蓋層，該覆蓋層是非電容形成部分，該覆蓋層形成在所述活性層的頂面和底面中的至少一者上；并且，當所述陶瓷本體的厚度為t而所述覆蓋層的厚度為T時，滿足T≤t×0.05；并且在所述覆蓋層分成三個相等部分的情形中，當所述三個相等部分中的最外層部分中的電介質顆粒的平均粒徑為Dc1而所述三個相等部分中的中間層部分中的電介質顆粒的平均粒徑為Dc2時，滿足1.11≤Dc1/Dc2≤2.91。

Dc1和Dc2的比值可以滿足1.56≤Dc1/Dc2≤2.63。

在所述覆蓋層沿厚度方向分成三個相等部分的情形中，當所述三個相等部分中的底層部分中的電介質顆粒的平均粒徑為Dc3時，可以滿足1.13≤Dc1/Dc3≤4.88。

Dc1和Dc3的比值可以滿足1.74≤Dc1/Dc3≤3.59。

Dc1和Dc2的比值可以滿足1.56≤Dc1/Dc2≤2.63；并且在所述覆蓋層沿厚度方向分成三個相等部分的情形中，當所述三個相等部分中的底層部分中的電介質顆粒的平均粒徑為Dc3時，可以滿足1.13≤Dc1/Dc3≤4.88。

當所述活性層中的電介質顆粒的平均粒徑為Da而所述覆蓋層中的電介質顆粒的平均粒徑為Dc時，可以滿足0.7≤Dc/Da≤1.5。