[發明專利]一種N型背接觸太陽能電池的制備方法無效
| 申請號: | 201210530692.1 | 申請日: | 2012-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN102983224A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 殷涵玉;楊智;王登志 | 申請(專利權)人: | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒;陸金星 |
| 地址: | 215129 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 接觸 太陽能電池 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種N型背接觸太陽能電池的制備方法,屬于太陽電池領域。
背景技術
常規的化石燃料日益消耗殆盡,在現有的可持續能源中,太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前,在所有的太陽能電池中,晶體硅太陽能電池是得到大范圍商業推廣的太陽能電池之一,這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲量,同時硅太陽能電池相比其他類型的太陽能電池,有著優異的電學性能和機械性能。因此,晶體硅太陽電池在光伏領域占據著重要的地位。
目前,背接觸太陽能電池(MWT太陽電池)受到了大家的廣泛關注,其優點在于:由于其正面沒有主柵線,減少了電池片的遮光,提高了電池片的轉換效率,在制作組件時,可以減少焊帶對電池片的遮光影響,同時采用新的封裝方式可以降低電池片的串聯電阻,減小電池片的功率損失。
現有技術中,制備N型背接觸太陽能電池的常規方法是通過液態源熱擴散在硅片的兩面分別形成硼摻雜層和磷摻雜層,其中,硼摻雜層與N型基體形成PN結。然而,該方法存在如下問題:(1)?液態源擴散需要高溫過程才能實現,尤其相對于磷擴散需要800~900℃的溫度而言,硼擴散溫度一般高達900~1100℃,且需要的時間更長,這會對硅片產生不良影響,降低其少子壽命,最終會影響太陽能電池的光電轉換效率;(2)?由于背接觸電池的正負電極的焊接位都位于電池的背面,要求正面電極的焊接位(包括孔內電極)必須與背面摻雜層處于斷路狀態,即正面電極的焊接位(包括孔內電極)不能與背面摻雜層直接連接,這就要求正面電極的焊接位(包括孔內電極)及其周邊一定范圍區域不能有背面摻雜,否則將形成短路;上述采用液態源擴散的方法制備背面摻雜層難以直接在特定區域有選擇地進行摻雜,需要采用預先制備阻擋層或者擴散后去除的方法實現上述要求,工藝過程復雜、難度較大。
發明內容
本發明目的是提供一種N型背接觸太陽能電池的制備方法。
為達到上述目的,本發明采用的技術方案是:一種N型背接觸太陽能電池的制備方法,包括如下步驟:
(1)?清洗N型硅片表面,去除損傷層,制絨;
(2)?在硅片正面制備磷摻雜層;
(3)?在硅片的正面設置鈍化減反射膜;
(4)?在硅片上開孔;
(5)?在硅片背面印刷正面電極焊接位、孔金屬電極和背面電極焊接位,烘干;
(6)?在硅片背面印刷鋁漿并烘干;
(7)?在硅片正面印刷正面電極;
(8)?燒結,即可得到N型背接觸太陽能電池。
上文中,所述步驟(2)的制備磷摻雜層可以采用現有技術,如可以采用液態源熱擴散或者離子注入法。當采用液態源磷擴散技術時,其中還可以包括去除擴散后的周邊結和清洗磷硅玻璃的過程。
所述正面電極焊接位和背面電極焊接位是指在硅片背面設置的電極焊接點,以供電池片組裝時與焊帶連接。其材料優選為銀漿。
所述孔金屬電極的兩端分別在電池兩面與正面電極和正面電極焊接位相連接。
上述技術方案中,所述步驟(6)中,所述鋁漿覆蓋步驟(5)中背面電極焊接位的四周部分區域。
上述技術方案中,所述步驟(6)中,所述鋁漿的外邊緣距離硅片邊緣0~2?mm。
上述技術方案中,所述步驟(6)中,所述鋁漿與步驟(5)中正面電極焊接位之間的間距為0.1~3?mm。
與之相應的另一種技術方案,一種N型背接觸太陽能電池的制備方法,包括如下步驟:
(1)?清洗N型硅片表面,去除損傷層,制絨;
(2)?在硅片正面制備磷摻雜層;
(3)?在硅片上開孔;
(4)?去除周邊結,清洗;
(5)?在硅片的正面設置鈍化減反射膜;
(6)?在硅片背面印刷正面電極焊接位、孔金屬電極和背面電極焊接位,烘干;
(7)?在硅片背面印刷鋁漿并烘干;
(8)?在硅片正面印刷正面電極;
(9)?燒結,即可得到N型背接觸太陽能電池。
上述技術方案中,所述步驟(7)中,所述鋁漿覆蓋步驟(6)中背面電極焊接位的四周部分區域。
上述技術方案中,所述步驟(7)中,所述鋁漿的外邊緣距離硅片邊緣0~2?mm。
上述技術方案中,所述步驟(7)中,所述鋁漿與步驟(6)中正面電極焊接位之間的間距為0.1~3?mm。
由于上述技術方案運用,本發明與現有技術相比具有下列優點:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





