[發(fā)明專利]穩(wěn)壓器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210528551.6
• 申請(qǐng)日: 2012-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN103853222A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周立波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 艾爾瓦特集成電路科技（天津）有限公司
• 主分類號(hào): G05F1/56
• 分類號(hào): G05F1/56
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 酆迅

1.一種穩(wěn)壓器，包括：

源跟隨器，包括串聯(lián)在高壓輸入電源(V_{in_high})和地之間的第一電阻(R₁)、高壓隔離開關(guān)(Hv_nmos)和低壓PMOS晶體管(Lv_pmos)，其中所述第一電阻的第一端接所述高壓輸入電源而其第二端接所述高壓隔離開關(guān)的第一端，所述高壓隔離開關(guān)的第二端接所述低壓PMOS晶體管的源極；

誤差放大器(EA)，其反相輸入端連接至一基準(zhǔn)電壓源(V_ref)，其輸出端耦合到所述低壓PMOS晶體管的柵極；

功率PMOS晶體管(Power_pmos)，其源極耦合到所述高壓輸入電源，其柵極耦合到所述高壓隔離開關(guān)的第一端，該功率PMOS晶體管的漏極作為所述穩(wěn)壓器的輸出端(V_out)，并且經(jīng)過串聯(lián)的第二電阻(R₂)和第三電阻(R₃)接地，

其中所述第二電阻(R₂)和第三電阻(R₃)之間的連接點(diǎn)耦合到所述誤差放大器的同相輸入端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穩(wěn)壓器，其中所述高壓隔離開關(guān)包括一個(gè)高壓NMOS晶體管(Hv_nmos)，其漏極作為所述高壓隔離開關(guān)的第一端，其源極作為所述高壓隔離開關(guān)的第二端。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的穩(wěn)壓器，其中所述誤差放大器的電源端和所述高壓NMOS晶體管的柵極通過一降壓電路耦合到所述輸入電源。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的穩(wěn)壓器，其中，所述降壓電路包括：

第四電阻(R₄)，其一端耦合到所述高壓輸入電源，另一端耦合到一齊納二極管(Z₁)的陰極；

一NMOS電壓調(diào)整管(Power_nmos)，該NMOS電壓調(diào)整管的漏極耦合到所述高壓輸入電源，該NMOS電壓調(diào)整管的柵極耦合到所述齊納二極管的陰極，該NMOS電壓調(diào)整管的源極作為該降壓電路的輸出端，并耦合到一偏置電阻(R_b)；

以及一濾波電容(C_f)并聯(lián)到該偏置電阻的兩端。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的穩(wěn)壓器，其中，在所述穩(wěn)壓器的輸出端(V_out)和所述誤差放大器的輸出端之間耦合有一補(bǔ)償電容(C_c)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的穩(wěn)壓器，其中，在所述穩(wěn)壓器的輸出端(V_out)和接地之間耦合有一輸出電容(C_load)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的穩(wěn)壓器，其中，所述高壓輸入電源(V_{in_high})的電壓大于或等于12V。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的穩(wěn)壓器，其中，所述誤差放大器(EA)的工作電壓小于或等于5V。

9.一種集成電路，包括如權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的穩(wěn)壓器。