[發(fā)明專利]高效多晶硅太陽(yáng)電池的背場(chǎng)鈍化工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210525872.0 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-07 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102945896A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-02-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王紅紅;馮強(qiáng);梁興芳;王步峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 潤(rùn)峰電力有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/18 | 分類號(hào)： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221 | 代理人： | 鄧建國(guó) |
| 地址： | 277600 山東省濟(jì)*** | 國(guó)省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 高效 多晶 太陽(yáng)電池 鈍化 工藝 | ||
1.一種多晶硅太陽(yáng)電池的背場(chǎng)鈍化工藝，其特征在于，包括：
印刷背電場(chǎng)；
印刷正電極；
燒結(jié)；
焊接背電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅太陽(yáng)電池的背場(chǎng)鈍化工藝，其特征在于，背電場(chǎng)印刷Al漿，Al漿的印刷面積離邊緣為0.5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅太陽(yáng)電池的背場(chǎng)鈍化工藝，其特征在于，所述采用含錫的焊帶焊接在背電場(chǎng)上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅太陽(yáng)電池的背場(chǎng)鈍化工藝，其特征在于，所述焊接的背電極寬度為4mm，焊接的背電極拉脫力為4N。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅太陽(yáng)電池的背場(chǎng)鈍化工藝，其特征在于，所述燒結(jié)溫度如下：
其中DRY1-DRY4分別為烘干一區(qū)至烘干四區(qū)；FRN是燒結(jié)的意思，F(xiàn)RN1-FRN6分別為燒結(jié)一區(qū)至燒結(jié)六區(qū)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
