[發明專利]一種溶液法電解質薄膜晶體管及其制備方法

無效

• 申請號: 201210525390.5
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103050626A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 邵憲一;馮林潤;唐偉;李思瑩;郭小軍
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: H01L51/10
• 分類號: H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40;H01L29/786;H01L29/49;H01L21/336
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 祖志翔

1.一種溶液法電解質薄膜晶體管，其特征在于，所述電解質薄膜晶體管為頂柵頂接觸結構，其包括：絕緣襯底、半導體層、電解質絕緣層、源電極、漏電極和柵電極；其中，絕緣襯底位于所述電解質薄膜晶體管的最底層，半導體層位于該絕緣襯底之上，電解質絕緣層覆蓋于該半導體層的部分上表面之上，源電極和漏電極分別制備在電解質絕緣層兩側的半導體層上并被電解質絕緣層隔開，柵電極制備在該電解質絕緣層上。

2.根據權利要求1所述的溶液法電解質薄膜晶體管，其特征在于，所述的絕緣襯底為玻璃或塑料薄膜。

3.根據權利要求1所述的溶液法電解質薄膜晶體管，其特征在于，所述的半導體層為溶液法加工的電子導電的無機半導體材料，該無機半導體材料為無機氧化物半導體。

4.根據權利要求1所述的溶液法電解質薄膜晶體管，其特征在于，所述的半導體層為溶液法加工的空穴導電的有機半導體材料，該有機半導體材料為小分子半導體或聚合物半導體。

5.根據權利要求1所述的溶液法電解質薄膜晶體管，其特征在于，所述的電解質絕緣層為溶液法加工的聚合物電解質絕緣層材料，該聚合物電解質絕緣層材料為PVA+KF、PS-PMMA-PS+[EMIM][TFSI]或PEO+LiPF₆固態電解質。

6.根據權利要求1所述的溶液法電解質薄膜晶體管，其特征在于，所述的柵電極、源電極和漏電極的材料為導電金屬，該導電金屬為金、銀、銅或鋁。

7.根據權利要求1所述的溶液法電解質薄膜晶體管，其特征在于，所述的柵電極、源電極和漏電極的材料為導電有機物，該導電有機物為PEDOT:PSS。

8.一種用于權利要求1所述的溶液法電解質薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述的制備方法包括如下步驟：

1）在所述絕緣襯底上制備半導體層，所用制備方法為旋涂、噴墨打印、絲網印刷或提拉法；

2）在所述半導體層上制備電解質絕緣層，所用制備方法為溶液法旋涂、噴涂或刮涂；

3）在所述電解質絕緣層上進行圖案化處理，所用處理方法為使用具有一定圖案的掩膜進行光交聯，然后使用一定溶劑進行洗脫處理，使洗脫處理后的電解質絕緣層只覆蓋半導體層的部分上表面，露出電解質絕緣層兩側的半導體層；

4）在經圖案化處理的電解質絕緣層上制備柵電極，同時在露出的電解質絕緣層兩側的半導體層上分別制備源電極和漏電極，使電解質絕緣層將源電極與漏電極隔開，所用制備方法為使用具有一定圖案的掩膜進行熱蒸鍍。