[發明專利]電流調諧的集成磁膜微電感的制作方法和電感調諧方法

有效

• 申請號: 201210525259.9
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN103022018A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 孔岑;周建軍;陸海燕
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01F41/18
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 夏雪

1.一種電流調諧的集成磁膜微電感的制作方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)在清洗過的基片上使用光刻工藝勻膠、曝光、顯影，得到控制極金屬壓塊圖形和金屬導線圖形，使用電子束蒸發工藝淀積金屬，使用剝離工藝，得到第一控制極金屬壓塊、第二控制極金屬壓塊和金屬導線，所述第一控制極金屬壓塊和第二控制極金屬壓塊通過金屬導線連接；

(2)使用PECVD工藝在步驟(1)形成的器件上淀積第一SiN介質層；

(3)使用光刻工藝勻膠、曝光、顯影，得到磁膜圖形，該圖形與第二控制極金屬壓塊部分重疊，使用濺射工藝淀積NiFe-SiOx磁性薄膜，使用剝離工藝，得到圖形化的NiFe-SiOx磁性薄膜，NiFe-SiOx磁性薄膜與第二控制極金屬壓塊部分重疊；

(4)使用PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)工藝在步驟(3)形成的器件上淀積第二SiN介質層；

(5)使用光刻工藝勻膠、曝光、顯影，得到介質通孔圖形，該圖形與第一控制極金屬壓塊和第二控制極金屬壓塊重疊，使用RIE工藝刻蝕步驟(2)和(4)中生長的SiN介質層，使用丙酮去除剩余的光刻膠，得到介質通孔，露出第一控制極金屬壓塊和第二控制極金屬壓塊；

(6)使用濺射工藝淀積電鍍種子層，使用光刻工藝勻膠、曝光、顯影，得到電感金屬圖形和互聯金屬圖形，使用電鍍工藝電鍍金屬，使用泛曝光、顯影去除剩余光刻膠，使用濕法刻蝕去除剩余的種子層金屬，得到電感金屬和互聯金屬，所述互聯金屬連接NiFe-SiOx磁性薄膜和第二控制極金屬壓塊。

2.根據權利要求1所述一種電流調諧的集成磁膜微電感的制作方法，其特征在于：在所述步驟(3)中，使用磁控濺射工藝淀積NiFe-SiO_x磁性薄膜，使用的靶材為Ni含量為60%的NiFe合金及純度為99%的SiO₂，濺射條件為：濺射前腔體真空小于6×10^-4Pa；濺射在Ar氣體中進行，Ar氣壓P_Ar為0.3~1.2Pa；NiFe使用直流功率源，濺射功率為50~70W；SiO₂使用射頻功率源，濺射功率為120~200W，NiFe與SiO₂交替濺射，得到SiO₂/NiFe/SiO₂/NiFe/SiO₂/NiFe/SiO₂/NiFe/SiO₂結構的NiFe-SiOx磁性薄膜，NiFe-SiOx磁性薄膜的總厚度為450~545nm。

3.一種利用如權利要求1所述方法制作的集成磁膜微電感進行電感調諧的方法，其特征在于，在所述第一控制極金屬壓塊上外加直流電源，外加直流電流大小為0~40mA，實現電感電感量和品質因數的調諧。