[發(fā)明專利]一種測(cè)量MOSFET器件峰值結(jié)溫分布的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210524530.7
• 申請(qǐng)日: 2012-12-07
• 公開（公告）號(hào): CN103852181A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱陽(yáng)軍;陸江;董少華;田曉麗;王任卿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): G01K7/01
• 分類號(hào): G01K7/01
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種測(cè)量MOSFET器件峰值結(jié)溫分布的方法，其特征在于，包括如下步驟：

在恒溫裝置內(nèi)，采集MOSFET器件的多階梯恒流脈沖所對(duì)應(yīng)的溫敏參數(shù)，獲得所述MOSFET器件的電流-溫敏參數(shù)-溫度三維曲線簇；

設(shè)定所述MOSFET器件的有效面積，根據(jù)MQH算法，選定基準(zhǔn)電流，得到所述基準(zhǔn)電流的序列；

根據(jù)所述電流-溫敏參數(shù)-溫度三維曲線簇和所述基準(zhǔn)電流的序列，得到電流-有效面積-溫敏參數(shù)-溫度曲線簇；

通過所述多階梯恒流重復(fù)脈沖測(cè)試所述MOSFET器件，得到同一電流在不同時(shí)間的溫敏參數(shù)，然后將所述同一電流在不同時(shí)間的溫敏參數(shù)進(jìn)行多項(xiàng)式擬合，得到零時(shí)刻溫敏參數(shù)；

根據(jù)所述零時(shí)刻溫敏參數(shù)和所述電流-有效面積-溫敏參數(shù)-溫度曲線簇，得到所述有效面積所對(duì)應(yīng)的結(jié)溫。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述電流-有效面積-溫敏參數(shù)-溫度曲線簇通過以所述基準(zhǔn)電流的序列為參量，以所述溫敏參數(shù)為自變量，以所述溫度為應(yīng)變量進(jìn)行多項(xiàng)式擬合即得。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述得到同一電流在不同時(shí)間的溫敏參數(shù)的方法具體包括如下步驟：

對(duì)所述MOSFET器件加一柵壓，使所述MOSFET器件的溝道開啟，然后在漏極和源極之間施加一加熱電壓，所述加熱電壓所產(chǎn)生的加熱電流從所述漏極流向所述源極；

經(jīng)加熱后，關(guān)斷所述柵壓和所述加熱電壓，所述溝道關(guān)閉，分別在所述源極和所述漏極之間施加一測(cè)量電流，所述測(cè)量電流從所述源極流向所述漏極，立即測(cè)量所述MOSFET器件的溫敏參數(shù)，通過多階梯恒流重復(fù)脈沖測(cè)試所述MOSFET器件，得到同一電流在不同時(shí)間的溫敏參數(shù)。