[發(fā)明專利]一種基于磨屑塑封體的扁平封裝件制作工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210523271.6 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103021882A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 諶世廣;朱文輝;王虎;劉衛(wèi)東;羅育光 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華天科技(西安)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 710018 陜西省西*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 塑封 扁平封裝 制作 工藝 | ||
1.一種基于磨屑塑封體的扁平封裝件制作工藝,其特征在于:具體按照以下步驟進(jìn)行:
第一步、減薄:減薄厚度為50μm~200μm;
第二步、劃片:150μm以上晶圓采用普通QFN劃片工藝,厚度在150μm以下晶圓,使用雙刀劃片機(jī)及其工藝;
第三步、上芯:采用粘片膠上芯;
第四步、壓焊;
第五步、一次塑封:用傳統(tǒng)塑封料進(jìn)行塑封;
第六步、框架蝕刻凹槽:用三氯化鐵溶液在框架背面做局部開(kāi)窗半蝕刻,形成凹槽,深度控制在框架厚度的一半以內(nèi);
第七步、回流焊;
第八步、二次塑封:二次塑封使用30~32um顆粒度的塑封料填充;
第九步、磨屑塑封體:用磨屑的方法磨掉一部分塑封體,并露出錫球橫截面;
第十步、后固化、磨膠、錫化、打印、產(chǎn)品分離、檢驗(yàn)、包裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于磨屑塑封體的扁平封裝件制作工藝,其特征在于:所述的步驟中第三步可采用膠膜片(DAF)代替粘片膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于磨屑塑封體的扁平封裝件制作工藝,其特征在于:所述的步驟中第四步、第五步、第七步、第十步均與常規(guī)AAQFN工藝相同。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





