[發(fā)明專利]超結(jié)的制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210519863.0
• 申請(qǐng)日: 2012-12-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103854999A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱陽(yáng)軍;張文亮;田曉麗;胡愛(ài)斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司;江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心
• 主分類號(hào): H01L21/331
• 分類號(hào): H01L21/331;H01L21/261;H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種超結(jié)的制作方法，其特征在于，包括：

提供一輕摻雜襯底；

以具有P型重?fù)诫s區(qū)圖形的第一掩膜版為掩膜，采用嬗變摻雜工藝在所述輕摻雜襯底內(nèi)形成P型重?fù)诫s區(qū)；

以具有N型重?fù)诫s區(qū)圖形的第二掩膜版為掩膜，采用嬗變摻雜工藝在所述輕摻雜襯底內(nèi)形成N型重?fù)诫s區(qū)；

退火處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，所述輕摻雜襯底的制作材料為硅、或碳化硅、或砷化鎵、或銻化銦。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述方法，其特征在于，所述采用嬗變摻雜工藝在所述輕摻雜襯底內(nèi)形成P型重?fù)诫s區(qū)的過(guò)程，包括：

提供光子源，形成高能光子束；

利用所述高能光子束對(duì)所述輕摻雜襯底進(jìn)行粒子輻照，引發(fā)核反應(yīng)，在所述輕摻雜襯底內(nèi)形成P型重?fù)诫s區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述方法，其特征在于，所述光子源為電子線性加速器光子源。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述方法，其特征在于，所述高能光子束的能量為17.5MeV~22.5MeV。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述高能光子束中光子的運(yùn)動(dòng)方向相互平行。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜版的制作材料為高能光子吸收劑。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述高能光子吸收劑包括重金屬元素的單質(zhì)或化合物以及鈦酸酯或硅烷類偶聯(lián)劑中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用嬗變摻雜工藝在所述輕摻雜襯底內(nèi)形成N型重?fù)诫s區(qū)的過(guò)程，包括：

提供中子源，形成中子束；

利用所述中子束對(duì)所述輕摻雜襯底進(jìn)行粒子輻照，引發(fā)核反應(yīng)，在所述輕摻雜襯底內(nèi)形成N型重?fù)诫s區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述中子源為放射性同位素中子源、或加速器中子源、或反應(yīng)堆中子源。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述方法，其特征在于，所述中子束中的中子運(yùn)動(dòng)方向相互平行。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所方法，其特征在于，所述第二掩膜版的制作材料為中子吸收劑。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述方法，其特征在于，所述中子吸收劑包括：氙135、或氦3同位素、或硼10、或釤149中的至少一種。

14.一種超結(jié)的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一類型重?fù)诫s襯底；

以具有第二類型重?fù)诫s區(qū)圖形的第三掩膜版為掩膜，采用嬗變摻雜工藝在所述第一類型重?fù)诫s襯底內(nèi)形成第二類型重?fù)诫s區(qū)，所述第二類型重?fù)诫s區(qū)之外的區(qū)域?yàn)榈谝活愋椭負(fù)诫s區(qū)；

退火處理。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述方法，其特征在于，所述第一類型重?fù)诫s襯底為P型重?fù)诫s，所述第二類型重?fù)诫s區(qū)為N型重?fù)诫s。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述方法，其特征在于，所述第一類型重?fù)诫s襯底的制作材料為硅、或碳化硅、或砷化鎵、或銻化銦。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述方法，其特征在于，所述采用嬗變摻雜工藝在所述第一類型重?fù)诫s襯底內(nèi)形成第二類型重?fù)诫s區(qū)的過(guò)程，包括：

提供中子源，形成中子束；

利用所述中子束對(duì)所述第一類型重?fù)诫s襯底進(jìn)行粒子輻照，引發(fā)核反應(yīng)，在所述第一類型重?fù)诫s襯底內(nèi)形成第二類型重?fù)诫s區(qū)。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述方法，其特征在于，所述第三掩膜版的制作材料為中子吸收劑。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述方法，其特征在于，所述第一類型重?fù)诫s襯底為N型重?fù)诫s，所述第二類型重?fù)诫s區(qū)為P型重?fù)诫s。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述方法，其特征在于，所述第一類型重?fù)诫s襯底的制作材料為硅、或碳化硅、或金剛石、或鍺、或砷化鎵、或銻化銦。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述方法，其特征在于，所述采用嬗變摻雜工藝在所述第一類型重?fù)诫s襯底內(nèi)形成第二類型重?fù)诫s區(qū)的過(guò)程，包括：

提供光子源，形成高能光子束；

利用所述高能光子束對(duì)所述第一類型重?fù)诫s襯底進(jìn)行粒子輻照，引發(fā)核反應(yīng)，在所述第一類型重?fù)诫s襯底內(nèi)形成第二類型重?fù)诫s區(qū)。