[發明專利]基準電壓生成電路

有效

• 申請號: 201210518299.0
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN103853227A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 黃維海;王洪來
• 申請（專利權）人: 艾爾瓦特集成電路科技（天津）有限公司
• 主分類號: G05F3/26
• 分類號: G05F3/26
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 酆迅

技術領域

本發明的各實施方式總體上涉及電路領域，并且更具體地，本發明的各實施方式涉及一種基準電壓生成電路。

背景技術

隨著半導體技術的飛速發展，各種集成電路(IC)在工業生產以及人們的日常生活中得到了普遍應用。但在IC(尤其是高電壓IC)中，經常需要生成相對于電壓源的高精確度基準電壓。為了生成該高精確度基準電壓，目前業界的傳統基準電壓生成電路是通過串聯電阻器來實現。然而，由于電路中電流以及電阻器的值在不同的工藝角以及溫度下會發生變化，因此很難生成高精確度基準電壓。

發明內容

為了解決上述問題，在本上下文中，本發明各實施方式的目的之一在于提供一種基準電壓生成電路。

根據本發明一個方面的某些實施方式，提供了一種基準電壓生成電路，該電路例如可以包括：鏡像恒流源，其具有第一支路和第二支路，其中所述第一支路上的第一電流與所述第二支路上的第二電流成比例；其中所述第一支路上具有第一電阻性元件，并且所述第二支路上具有串聯的兩個第二電阻性元件；以及供電端子，其位于所述第二支路上的所述兩個第二電阻性元件之間。

根據本發明一個方面的某些實施方式，提供了一種基準電壓生成電路，該電路例如可以包括：其中所述第一支路上的所述第一電流與所述第二支路上的所述第二電流的比例為M∶N，其中M和N是大于或等于1的整數。

根據本發明一個方面的某些實施方式，提供了一種基準電壓生成電路，該電路例如可以包括：其中所述第一支路上具有第一NPN型雙極晶體管，所述第二支路上具有第二NPN型雙極晶體管，并且所述第一NPN型雙極晶體管與所述第二NPN型雙極晶體管是相互匹配的，其中基極與發射極之間的電壓為V_be；其中所述第一NPN型雙極晶體管的基極與所述第二NPN型雙極晶體管的基極連接并且與其自身的集電極連接；所述第一NPN型雙極晶體管的發射極與所述第二NPN型雙極晶體管的發射極連接；所述第一NPN型雙極晶體管的集電極通過所述第一電阻性元件與高精確度基準電壓V_R連接；以及所述第二NPN型雙極晶體管的集電極通過所述兩個第二電阻性元件與電壓源V_DDH連接。

根據本發明一個方面的某些實施方式，提供了一種基準電壓生成電路，該電路例如可以包括：其中所述兩個第二電阻性元件與所述電壓源V_DDH之間包括以下至少一種：第三NPN型雙極晶體管與所述第一NPN型雙極晶體管或所述第二NPN型雙極晶體管是相互匹配的，其中基極與發射極之間的電壓為V_be，并且其基極與集電極與所述電壓源V_DDH連接，其發射極與所述兩個第二電阻性元件連接；以及二極管與所述第一NPN型雙極晶體管或所述第二NPN型雙極晶體管是相互匹配的，其中正極與負極之間的電壓為V_d，并且其正極與所述電壓源V_DDH連接，其負極與所述兩個第二電阻性元件連接。

根據本發明一個方面的某些實施方式，提供了一種基準電壓生成電路，該電路例如可以包括：其中所述第一支路上具有第一N型MOS管，所述第二支路上具有第二N型MOS管，并且所述第一N型MOS管與所述第二N型MOS管是相互匹配的，其中柵極與源極之間的電壓為V_gs；其中所述第一N型MOS管的柵極與所述第二N型MOS管的柵極連接并且與其自身的漏極連接；所述第一N型MOS管的源極與所述第二N型MOS管的源極連接；所述第一N型MOS管的漏極通過所述第一電阻性元件與高精確度基準電壓V_R連接；以及所述第二N型MOS管的漏極通過所述兩個第二電阻性元件與電壓源V_DDH連接。

根據本發明一個方面的某些實施方式，提供了一種基準電壓生成電路，該電路例如可以包括：其中所述兩個第二電阻性元件與所述電壓源V_DDH之間包括以下至少一種：P型MOS管與所述第一N型MOS管或所述第二N型MOS管是相互匹配的，其中柵極與源極之間的電壓為V_gs，并且其源極與所述電壓源V_DDH連接，其柵極與漏極與所述兩個第二電阻性元件連接；以及二極管與所述第一N型MOS管或所述第二N型MOS管是相互匹配的，其中正極與負極之間的電壓為V_d，并且其正極與所述電壓源V_DDH連接，其負極與所述兩個第二電阻性元件連接。