[發(fā)明專(zhuān)利]帶有垂直柵極結(jié)構(gòu)的器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210514780.2
• 申請(qǐng)日: 2012-12-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103579235A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊學(xué)理;朱鳴;陳意仁
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/092
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/41;H01L21/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種器件，所述器件包括：

晶圓襯底；

截頂圓錐結(jié)構(gòu)，形成在所述晶圓襯底中，其中，所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)包括形成在所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的底部的漏極、形成在所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的頂部的源極和形成在所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的中部且連接所述源極和所述漏極的溝道；以及

柵極完全包圍(GAA)結(jié)構(gòu)，圍繞所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的中部，其中，所述GAA結(jié)構(gòu)在所述GAA結(jié)構(gòu)的一側(cè)與所述源極相重疊，越過(guò)所述溝道，并且在所述GAA結(jié)構(gòu)的另一側(cè)與所述漏極相重疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括：多個(gè)金屬塞，所述多個(gè)金屬塞接觸所述GAA結(jié)構(gòu)、所述源極和所述漏極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述GAA結(jié)構(gòu)包括：沉積在所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的界面層(IL)、沉積在所述IL上方的金屬柵極層以及沉積在所述金屬柵極層上方的多晶硅柵極層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中，所述IL包括氧化物層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，進(jìn)一步包括高k介電層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述漏極包括負(fù)電荷(N+)漏極或正電荷(P+)漏極。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述源極包括P+源極或N+源極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，進(jìn)一步包括P+Ge源極。

9.一種器件，所述器件包括：

晶圓襯底；

截頂圓錐結(jié)構(gòu)，形成在所述晶圓襯底中，其中，所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)包括形成在所述截頂圓錐的底部的漏極、形成在所述截頂圓錐的中部且位于漏極上方的溝道和形成在所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的頂部且位于溝道上方的源極；以及

柵極完全包圍(GAA)結(jié)構(gòu)，圍繞所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的中部，在所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的底部與所述漏極相重疊，并且在所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的頂部與所述源極相重疊，其中，所述GAA結(jié)構(gòu)包括沉積在所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上的界面層(IL)、沉積在所述IL上的柵極層和沉積在所述金屬柵極層上方的多晶硅柵極層。

10.一種制造器件的方法，所述方法包括：

接收晶圓襯底；

形成截頂圓錐結(jié)構(gòu)，其中硬掩模層位于所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的頂部；

在所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的底部形成漏極；

形成圍繞所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的中部的柵極完全包圍(GAA)結(jié)構(gòu)；以及

在所述截頂圓錐結(jié)構(gòu)的頂部形成源極。