[發明專利]一種電可編程熔絲結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201210514582.6
• 申請日: 2012-12-04
• 公開（公告）號: CN103855076A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 甘正浩;俞少峰;朱志煒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/525
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種電可編程熔絲結構的制備方法，包括：

提供半導體襯底以及位于所述襯底上的介電層；

在所述介電層上形成半導體材料層；

圖案化所述半導體材料層，以形成熔絲元件、虛擬熔絲元件、第一端部和第二端部，其中所述第一端部和所述第二端部通過所述熔絲元件和虛擬熔絲元件相連；

去除部分所述虛擬熔絲元件，以使所述第一端部和所述第二端部之間虛擬熔絲元件斷開。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟：

在所述半導體材料層上形成自對準硅化物和接觸孔蝕刻停止層，然后在所述第一端部和所述第二端部上形成多個接觸孔，形成接觸陣列，用于電連接。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述半導體材料層的側壁上形成間隙壁。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一端部和所述第二端部為方形。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一端部和所述第二端部與所述熔絲元件連接部位呈三角形狀。

6.根據權利要求1、4或5所述的方法，其特征在于，去除部分所述虛擬熔絲元件的方法為：

在所述襯底上形成圖案化的掩膜層，以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述虛擬熔絲元件，以斷開所述虛擬熔絲元件。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述虛擬熔絲元件中去除的部分的形狀為方形或者梯形。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體材料層為多晶硅層。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述介電層為淺溝槽隔離氧化物層。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述虛擬熔絲元件位于所述熔絲元件的兩側。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述虛擬熔絲元件對稱的分布于所述熔絲元件的兩側。

12.根據權利要求1所述電可編程熔絲結構，其特征在于，所述第一端部為陰極或陽極，所述第二端部對應的為陽極或者陰極。

13.一種如權利要求1-12之一所述方法制備得到的電可編程熔絲結構。