[發(fā)明專利]偽柵的形成方法、選擇性沉積硅的方法和插塞的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210514547.4
• 申請(qǐng)日: 2012-12-04
• 公開（公告）號(hào): CN103854987B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三重野文健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/285
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種偽柵的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有凸出的鰭部，所述鰭部之間具有隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)的頂表面低于所述鰭部的頂表面；

在所述鰭部和所述隔離結(jié)構(gòu)表面旋涂液體聚硅烷層，所述聚硅烷層覆蓋所述鰭部和所述隔離結(jié)構(gòu)；

對(duì)所述聚硅烷層退火，使所述聚硅烷層轉(zhuǎn)化為非晶硅層；

刻蝕所述非晶硅層，形成位于所述鰭部和所述隔離結(jié)構(gòu)上的偽柵。

2.如權(quán)利要求1所述的偽柵的形成方法，其特征在于，所述聚硅烷的材料為聚乙硅烷和環(huán)戊硅烷中的一種或兩種。

3.如權(quán)利要求1所述的偽柵的形成方法，其特征在于，所述在鰭部和隔離結(jié)構(gòu)表面旋涂聚硅烷層在惰性氣體氣氛下進(jìn)行，所述惰性氣體的壓強(qiáng)小于500托。

4.如權(quán)利要求1所述的偽柵的形成方法，其特征在于，所述對(duì)聚硅烷層退火的溫度為250攝氏度～650攝氏度。

5.如權(quán)利要求1所述的偽柵的形成方法，其特征在于，所述對(duì)聚硅烷層退火在惰性氣體氣氛下進(jìn)行，所述惰性氣體的壓強(qiáng)小于500托。

6.如權(quán)利要求1所述的偽柵的形成方法，其特征在于，還包括：在所述鰭部和所述隔離結(jié)構(gòu)表面旋涂液體聚硅烷層前，在所述半導(dǎo)體襯底表面采用化學(xué)氣相沉積工藝形成多晶硅層或者非晶硅層。

7.如權(quán)利要求1所述的偽柵的形成方法，其特征在于，所述隔離結(jié)構(gòu)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。

8.一種選擇性沉積硅的方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有圖形結(jié)構(gòu)，所述圖形結(jié)構(gòu)具有親水性的表面，所述圖形結(jié)構(gòu)具有暴露所述半導(dǎo)體襯底表面的開口，所述開口暴露出的半導(dǎo)體襯底表面具有疏水性；

在所述半導(dǎo)體襯底表面旋涂聚硅烷溶液，所述聚硅烷溶液具有疏水性，所述聚硅烷溶液填充所述開口；

烘干所述聚硅烷溶液，使所述聚硅烷溶液轉(zhuǎn)化為非晶硅。

9.如權(quán)利要求8所述的選擇性沉積硅的方法，其特征在于，所述聚硅烷溶液的溶劑為碳?xì)浠衔铩?/p>

10.如權(quán)利要求9所述的選擇性沉積硅的方法，其特征在于，所述碳?xì)浠衔锏姆肿又刑荚拥膫€(gè)數(shù)大于4。

11.如權(quán)利要求10所述的選擇性沉積硅的方法，其特征在于，所述碳?xì)浠衔餅镃₅H₁₂。

12.如權(quán)利要求8所述的選擇性沉積硅的方法，其特征在于，所述聚硅烷溶液的溶質(zhì)為聚乙硅烷和環(huán)戊硅烷中的一種或兩種。

13.如權(quán)利要求8所述的選擇性沉積硅的方法，其特征在于，所述在半導(dǎo)體襯底表面旋涂聚硅烷溶液在惰性氣體氣氛下進(jìn)行，所述惰性氣體的壓強(qiáng)小于500托。

14.如權(quán)利要求8所述的選擇性沉積硅的方法，其特征在于，所述烘干聚硅烷溶液的溫度為150攝氏度～650攝氏度。

15.如權(quán)利要求8所述的選擇性沉積硅的方法，其特征在于，所述烘干聚硅烷溶液在惰性氣體氣氛下進(jìn)行，所述惰性氣體的壓強(qiáng)小于500托。

16.如權(quán)利要求15所述的選擇性沉積硅的方法，其特征在于，所述烘干聚硅烷溶液的溫度為150攝氏度～650攝氏度。

17.如權(quán)利要求8所述的選擇性沉積硅的方法，其特征在于，還包括：在烘干所述聚硅烷溶液使所述聚硅烷溶液轉(zhuǎn)化為非晶硅后，對(duì)所述非晶硅退火，使所述非晶硅轉(zhuǎn)化為多晶硅。

18.如權(quán)利要求17所述的選擇性沉積硅的方法，其特征在于，所述退火的溫度為300攝氏度～1100攝氏度。

19.如權(quán)利要求8所述的選擇性沉積硅的方法，其特征在于，還包括：在所述半導(dǎo)體襯底表面旋涂聚硅烷溶液前，使用氫氟酸溶液對(duì)所述半導(dǎo)體襯底表面進(jìn)行處理。

20.一種半導(dǎo)體器件中插塞的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件具有疏水性的接觸區(qū)，所述半導(dǎo)體器件上具有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層具有暴露所述接觸區(qū)的通孔，所述介質(zhì)層具有親水性的表面；

在所述半導(dǎo)體器件表面旋涂聚硅烷溶液，所述聚硅烷溶液具有疏水性，所述聚硅烷溶液填充所述通孔；

烘干所述聚硅烷溶液，使所述聚硅烷溶液轉(zhuǎn)化為硅插塞。