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[發(fā)明專利]具有元件設(shè)置區(qū)的基板結(jié)構(gòu)及其制作工藝有效

專利信息
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> 201210508903.1 申請(qǐng)日: 2012-12-03
公開(公告)號(hào): CN103855099B 公開(公告)日: 2017-05-24
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: 張成瑞;吳明豪 申請(qǐng)(專利權(quán))人: 欣興電子股份有限公司
主分類號(hào): H01L23/14 分類號(hào): H01L23/14;H01L21/48
代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 代理人: 陳小雯
地址: 中國(guó)臺(tái)*** 國(guó)省代碼: 臺(tái)灣;71
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摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 具有 元件 設(shè)置 板結(jié) 及其 制作 工藝
【說明書】:

技術(shù)領(lǐng)域

發(fā)明涉及一種基板結(jié)構(gòu)及其制作工藝,且特別是涉及一種具有元件設(shè)置區(qū)的基板結(jié)構(gòu)及其制作工藝。

背景技術(shù)

近年來,隨著電子技術(shù)的日新月異,高科技電子產(chǎn)業(yè)的相繼問世,使得更人性化、功能更佳的電子產(chǎn)品不斷地推陳出新,并朝向輕、薄、短、小的趨勢(shì)設(shè)計(jì)。在這些電子產(chǎn)品內(nèi)通常會(huì)配置一電路基板,此電路基板用以承載單個(gè)或多個(gè)電子元件,然而電子元件配置于電路基板上會(huì)造成承載面積增加,因而如何將電子元件內(nèi)藏于電路基板中,已成為當(dāng)前的關(guān)鍵技術(shù)。

在現(xiàn)有技術(shù)中,內(nèi)埋元件的基板制作工藝需先應(yīng)用激光鉆孔或是機(jī)械鉆孔于核心層中形成一開孔,再將內(nèi)埋元件配置于開孔中。然而,內(nèi)埋元件需通過接墊與電路基板的線路層電連接,因而在制作工藝中須于開孔設(shè)置處預(yù)先形成一圖案化防焊層(solder mask layer),以便進(jìn)行后續(xù)的接墊制作。此制作工藝須與電路基板的其他制作工藝分開制作,提高制作工藝步驟的復(fù)雜度,且以激光進(jìn)行開孔制作時(shí),其激光深度的控制需要非常精準(zhǔn),以避免鉆穿防焊層或是有防焊層的殘留,上述問題皆提高了內(nèi)埋元件的電路基板的制作難度。此外,由于核心層的厚度通常小于100微米(μm),對(duì)于現(xiàn)今的防焊技術(shù)也是一大考驗(yàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種具有元件設(shè)置區(qū)的基板結(jié)構(gòu),其制作工藝較為簡(jiǎn)單且制作工藝良率較高。

本發(fā)明的再一目的在于提供一種具有元件設(shè)置區(qū)的基板制作工藝,其步驟較為簡(jiǎn)單且制作出的產(chǎn)品良率較高。

為達(dá)上述目的,本發(fā)明提出一種具有元件設(shè)置區(qū)的基板結(jié)構(gòu),其包括一 核心層、一第一介電層、一擬線路圖案以及一第二介電層。核心層包括一第一表面、一圖案化金屬層及一元件設(shè)置區(qū)。圖案化金屬層設(shè)置于第一表面上且包括多個(gè)接墊,位于元件設(shè)置區(qū)內(nèi)。第一介電層設(shè)置于核心層上且包括多個(gè)開口,分別暴露出接墊。擬線路圖案設(shè)置于第一介電層上,且擬線路圖案圍繞元件設(shè)置區(qū)正投影至第一介電層上的一投影區(qū)域的周圍。第二介電層設(shè)置于第一介電層上并覆蓋擬線路圖案。第二介電層包括一元件設(shè)置槽,對(duì)應(yīng)投影區(qū)域貫穿第二介電層,并連通開口以暴露出接墊。

本發(fā)明提出一種具有元件設(shè)置區(qū)的基板制作工藝,其包括下列步驟:首先,提供一核心層。核心層包括一第一表面、一金屬層及一元件設(shè)置區(qū)。金屬層設(shè)置于第一表面上。接著,圖案化金屬層以形成一圖案化金屬層。圖案化金屬層包括多個(gè)接墊,位于元件設(shè)置區(qū)內(nèi)。接著,形成一第一介電層于第一表面上,第一介電層覆蓋圖案化金屬層。接著,形成一擬線路圖案于第一介電層上。擬線路圖案圍繞元件設(shè)置區(qū)正投影至第一介電層上的一投影區(qū)域的周圍設(shè)置。之后,設(shè)置一離型膜于第一介電層的投影區(qū)域上,離型膜覆蓋擬線路圖案位于投影區(qū)域內(nèi)的部分。接著,形成一第二介電層于第一介電層上。第二介電層覆蓋離型膜以及擬線路圖案。接著,形成一第一開孔以及多個(gè)第二開孔。第一開孔環(huán)繞投影區(qū)域的周圍并貫穿第二介電層而延伸至擬線路圖案。第二開孔分別貫穿第二介電層而延伸至接墊。之后,令離型膜與第一介電層脫離,以形成一元件設(shè)置槽。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的元件設(shè)置槽暴露擬線路圖案位于投影區(qū)域的周圍的部分。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的具有元件設(shè)置區(qū)的基板結(jié)構(gòu)還包括一電子元件,設(shè)置于元件設(shè)置槽內(nèi),且電子元件與接墊形成電連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的具有元件設(shè)置區(qū)的基板結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)焊線,分別電連接接墊與電子元件。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的具有元件設(shè)置區(qū)的基板結(jié)構(gòu)還包括多個(gè)焊球,分別電連接接墊與電子元件。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的擬線路圖案的材料包括銅、鈀、鎳、銀。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的形成第一開孔以及第二開孔的方法包括激光開孔。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的具有元件設(shè)置區(qū)的基板制作工藝還包括 設(shè)置至少一電子元件于元件設(shè)置槽內(nèi),且電子元件與接墊形成電連接。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中,上述的電子元件通過打線接合或倒裝接合的方式與接墊形成電連接。

基于上述,本發(fā)明利用介電層取代現(xiàn)有中核心層上位于元件設(shè)置區(qū)內(nèi)的防焊層,使元件設(shè)置區(qū)內(nèi)部以及外部的介電層一體成形而可同時(shí)形成,因而簡(jiǎn)化了現(xiàn)有繁復(fù)的基板制作工藝。此外,本發(fā)明還將用以阻擋激光貫穿的擬線路圖案設(shè)置于介電層上,而非如現(xiàn)有中的與接墊一同設(shè)置于核心層上,因而可避免激光開孔深度控制不易的問題。因此,本發(fā)明確實(shí)可簡(jiǎn)化具有元件設(shè)置區(qū)的基板的制作工藝,更可提高其產(chǎn)品的良率。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉實(shí)施例,并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。

附圖說明

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說明:

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2、支持發(fā)明專利 、實(shí)用新型專利、外觀設(shè)計(jì)專利(升級(jí)中);

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