[發(fā)明專利]碳納米管電極、其制備方法和用途無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210506591.0 | 申請日： | 2012-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN103852503A | 公開（公告）日： | 2014-06-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張曉科;李勇明 | 申請（專利權(quán)）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | G01N27/30 | 分類號： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 賈靜環(huán) |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 電極 制備 方法 用途 | ||
1.一種碳納米管電極，包括基底材料和覆蓋于基底材料表面的碳納米管層，其中所述基底材料是紙質(zhì)基底材料。
2.權(quán)利要求1的碳納米管電極，其中所述紙質(zhì)基底材料選自與水性溶液的接觸角小于120°。
3.權(quán)利要求1的碳納米管電極，其中所述紙質(zhì)基底材料選自為書寫紙、復(fù)印紙。
4.權(quán)利要求1的碳納米管電極，其中所述紙質(zhì)基底材料選自定量為25-100g/m2的紙、優(yōu)選40-90g/m2的紙，更優(yōu)選50-80g/m2的紙。
5.權(quán)利要求1的碳納米管電極，其中基底材料表面所覆蓋的碳納米管層密度為0.02mg/cm2-1mg/cm2,優(yōu)選0.1mg/cm2-0.5mg/cm2,更優(yōu)選0.2mg/cm2-0.4mg/cm2。
6.權(quán)利要求1的碳納米管電極，其中所述碳納米管層選自單壁碳納米管或多壁碳納米管。
7.權(quán)利要求1的碳納米管電極，其中所述碳納米管為未經(jīng)修飾的或經(jīng)修飾的碳納米管。
8.一種權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的碳納米管電極的制備方法，包括
（a）將碳納米管超聲分散于去離子水中，形成碳納米管-水分散體系；
（b）通過基底材料采取浸漬和/或過濾的方法將碳納米管覆蓋于所述基底材料表面，并干燥得到基底-碳納米管層復(fù)合材料，
其中所述基底材料為紙質(zhì)基底材料。
9.權(quán)利要求8的制備方法，包括
（c）將所述基底-碳納米管層復(fù)合材料浸泡于酸溶液中；和
（d）用去離子水沖洗經(jīng)酸浸泡的基底-碳納米管層復(fù)合材料，并干燥。
10.權(quán)利要求8的制備方法，其中所述碳納米管-水分散體系的濃度為0.5-2mg/mL。
11.權(quán)利要求8的制備方法，其中所述抽濾包括加壓抽濾和真空抽濾。
12.權(quán)利要求8的制備方法，其中所述酸選自鹽酸或硝酸。
13.權(quán)利要求8的制備方法，其中在步驟(a)中加入表面活性劑。
14.權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的碳納米管電極的用途，用于檢測重金屬離子，包括Pb、Cd、Hg、Cu、Zn的離子。
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