[發明專利]陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201210500885.2 | 申請日: | 2012-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN102983132A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 王崢 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;G09G3/20 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示領域,尤其涉及一種陣列基板和包括該陣列基板的顯示裝置。
背景技術
陣列基板行驅動(Gate?Driver?on?Array,GOA)技術,是直接將柵極驅動電路(Gate?driver?ICs)集成在陣列基板上,來代替外接驅動芯片的一種工藝技術。該技術的應用不僅可減少生產工藝程序,降低產品成本,提高集成度,而且可以做到面板兩邊對稱的美觀設計,同時也省去了柵極電路(Gate?IC)的綁定(Bonding)區域以及扇出(Fan-out)布線空間,從而可實現窄邊框的設計,提高產能和良品率。
但現有GOA電路尺寸較大,占用較大的空間,導致現有使用GOA集成技術的液晶面板,其邊框尺寸很難進一步縮小,影響實際的窄邊框效果。
發明內容
本發明所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板和設置有該陣列基板的顯示裝置,能進一步縮減周邊的邊框尺寸,實現更窄邊框,從而提升顯示裝置的有效顯示面積。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
一種陣列基板,包括:基板,設置在所述基板上的柵線,以及所述向柵線輸出柵極驅動信號的移位寄存器;所述移位寄存器包括:
與所述柵線相連的第一薄膜晶體管;
時鐘控制信號線和第一信號線,延伸至所述陣列基板的顯示區域;
所述第一薄膜晶體管至少一個,且分布在所述陣列基板的顯示區域內,所述第一薄膜晶體管的源極與時鐘控制信號線相連,其漏極與所述柵線相連,其柵極與所述第一信號線相連。
優選地,所述第一信號線與所述柵線間隔設置,且與所述柵線平行。
可選地,所述時鐘控制信號線平行于所述柵線。
進一步地,所述移位寄存器還包括:輸出所述第一薄膜晶體管導通或截止的控制信號的控制單元,
所述控制單元與所述第一信號線相連,設置在所述陣列基板邊緣的非顯示區域內。
可選地,所述控制單元包括:
第二薄膜晶體管,其源極和柵極連接在一起作為該移位寄存器的輸入端,其漏極與所述第一信號線相連,及,
第三薄膜晶體管,其源極與所述第二薄膜晶體管的漏極相連,其漏極接收接地信號,其柵極接收復位信號,以及,
第四薄膜晶體管,其源極與所述柵線相連,其漏極與接地信號相連,其柵極接收復位信號。
可選地,所述第一信號線與所述柵線位于同一層。
可選地,所述時鐘控制信號線與所述柵線位于同一層。
可選地,還包括數據線,所述時鐘控制信號線與所述數據線位于同一層。
優選地,所述第一薄膜晶體管以相等的間距設置在所述陣列基板的顯示區域內。
可選地,所述的陣列基板還包括:設置在陣列基板顯示區域的驅動薄膜晶體管;
所述第一薄膜晶體的有源層與所述驅動薄膜晶體管的有源層位于同一層。
本實施例還提供一種顯示裝置,設置有所述的任一陣列基板。
現有液晶面板的設計使用GOA集成技術,但因GOA電路尺寸較大,占用較大的空間,因此很難做到窄邊框的效果。而本發明中提供的陣列基板和設置有該陣列基板的顯示裝置,通過將GOA電路當中占用面積較大的用于輸出柵極驅動信號的薄膜晶體管以及電容,轉移到陣列面板內部,減小GOA電路占用的邊框區域,從而達到縮減邊框尺寸的目的,使得窄邊框的設計得以實現,提升顯示裝置的有效顯示面積。
附圖說明
圖1為一種常用的柵極驅動電路的移位寄存器的示意圖;
圖2為本發明實施例提供的陣列基板的結構示意圖;
圖3為本發明實施例中陣列基板顯示區域的局部放大示意圖;
圖4為第二種常用的柵極驅動電路的移位寄存器的示意圖;
圖5為本發明實施例提供的另一陣列基板的結構示意圖;
圖6為第三種常用的柵極驅動電路的移位寄存器的示意圖。
附圖標記說明
11-顯示區域,12-柵線,13-第一信號線,14-時鐘控制信號線,
15-數據線,16-公共電極線,M-驅動薄膜晶體管,21-控制單元。
具體實施方式
本發明實施例提供一種陣列基板和設置有該陣列基板的顯示裝置,能進一步縮減周邊的邊框尺寸,實現更窄邊框,從而提升顯示裝置的有效顯示面積,改善顯示效果。
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





