[發明專利]N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結構和制備方法

有效

• 申請號: 201210497632.4
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN102931268A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 賈河順;姜言森;程亮;任現坤;張春艷;孫繼峰;馬繼磊;徐振華
• 申請（專利權）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/20
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

1.?一種N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結構，其特征在于，N型硅襯底受光面由內到外依次為n+型晶硅層、減反射層的疊層結構；N型硅襯底背光面最內層為n+型晶硅層，在背光面n+型晶硅層沉積的薄膜分為兩種結構，兩種結構之間相互交替并有間隔互相分開；其中一部分為透明導電薄膜和電極的疊層結構，另一部分由內到外依次為本征非晶或微晶硅層、p型非晶或微晶硅層、透明導電薄膜和電極的疊層結構。

2.?根據權利要求1所述N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結構，其特征在于，本征非晶或微晶硅層，p型非晶或微晶硅層，透明導電薄膜，n+型晶硅層和減反射層的厚度范圍為1~5000nm。

3.?根據權利要求2所述N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結構，其特征在于，本征非晶或微晶硅層，p型非晶或微晶硅，透明導電薄膜，?n+型晶硅層，減反射層的厚度分別為10nm，12nm，15nm，200nm，80nm。

4.?根據權利要求1所述N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結構，其特征在于，n+型晶硅層沉積的薄膜分為兩種結構，兩種結構之間的間隔距離為0.01~10000μm。

5.?根據權利要求1所述N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結構，其特征在于，n+型晶硅層沉積的薄膜分為兩種結構，兩種結構之間的間隔為距離40μm。

6.?一種如權利要求1-5任一所述N型硅襯底背接觸式HIT太陽電池結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在制絨后的N型硅襯底進行P離子雙面擴散；

（2）在受光面沉積減反射層；

（3）在背光面通過化學氣相沉積在n+型晶硅層上依次沉積本征非晶或微晶硅層和p型非晶或微晶硅層；?

（4）以相同間隔清除本征非晶或微晶硅層和p型非晶或微晶硅層疊層結構；

（5）在背光面進行透明導電薄膜制備；

（6）在背光面進行鐳射切割，切除本征非晶或微晶硅層和p型非晶或微晶硅層疊層結構與n+型晶硅層連接部分的透明導電薄膜；

（7）在背光面進行金屬電極制備，在背光面n+型晶硅層沉積的薄膜形成兩種結構，兩種結構之間相互交替并有間隔互相分開；其中一部分為透明導電薄膜和電極的疊層結構，另一部分由內到外依次為本征非晶或微晶硅層、p型非晶或微晶硅層、透明導電薄膜和電極的疊層結構。

7.?根據權利要求6所述制備方法，其特征在于，清除本征非晶或微晶硅層和p型非晶或微晶硅層疊層結構的方法為：a在需要清除的疊層部分之外絲網印刷一層保護層，b化學腐蝕去除未受保護部分的疊層結構，c去除保護層。

8.?一種如權利要求1-5任一所述N型硅襯底背接觸式HIT太陽電池結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在制絨后的N型硅襯底進行P離子雙面擴散；

（2）在受光面沉積減反射層；

（3）在背光面通過帶掩膜版的離子注入法在n+型晶硅層上依次制備本征非晶或微晶硅層和p型非晶或微晶硅層，本征非晶或微晶硅層和p型非晶或微晶硅層疊層結構有間隔排列；

（4）在背光面進行透明導電薄膜制備；

（5）在背光面進行鐳射切割，切除本征非晶或微晶硅層和p型非晶或微晶硅層疊層結構與n+型晶硅層連接部分的透明導電薄膜；

（6）在背光面進行金屬電極制備，在背光面n+型晶硅層沉積的薄膜形成兩種結構，兩種結構之間相互交替并有間隔互相分開；其中一部分為透明導電薄膜和電極的疊層結構，另一部分由內到外依次為本征非晶或微晶硅層、p型非晶或微晶硅層、透明導電薄膜和電極的疊層結構。