[發明專利]濕法刻蝕裝置及其刻蝕方法

有效

• 申請號: 201210496197.3
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN102945802A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 鄧鐳
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述濕法刻蝕裝置包括：

刻蝕槽，所述刻蝕槽容置所述刻蝕溶液；

膜厚測試裝置，所述膜厚測試裝置采用光學測量模式，并可對位于所述刻蝕槽中的待刻蝕晶圓之指定待測位置進行定位，且對所述待刻蝕晶圓之指定待測位置的膜厚在刻蝕過程中進行實時監控；

刻蝕控制裝置，所述刻蝕控制裝置具有預定設置的預設膜層厚度，并可將所述膜厚測試裝置對所述待刻蝕晶圓之指定待測位置進行監控的實際膜厚和所述預定設置的預設膜層厚度進行比較。

2.如權利要求1所述的濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述刻蝕槽一側設置觀察窗。

3.如權利要求2所述的濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述膜厚測試裝置設置在所述刻蝕槽之觀察窗一側。

4.如權利要求1所述的濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述膜厚測試裝置設置在所述刻蝕槽之刻蝕溶液內。

5.如權利要求1所述的濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述膜厚測試裝置用于對氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅的其中之一單層或者其疊加膜層進行厚度測量。

6.如權利要求1所述的濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述膜厚測試裝置以大于1Hz的固定頻率的脈沖信號量測所述待刻蝕晶圓之指待測位置的膜厚。

7.如權利要求1所述的濕法刻蝕裝置，其特征在于，所述濕法刻蝕裝置用于單枚刻蝕機臺或者批刻蝕機臺。

8.如權利要求1所述的濕法刻蝕裝置的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕方法包括：

執行步驟S1：所述膜厚測試裝置對所述待刻蝕晶圓之指定待測位置進行定位；

執行步驟S2：所述濕法刻蝕裝置對所述待刻蝕晶圓之指定待測位置進行刻蝕，在刻蝕過程中，所述膜厚測試裝置對所述待刻蝕晶圓之指定待測位置的膜層厚度進行實時監控；

執行步驟S3：所述刻蝕控制裝置將所述膜厚測試裝置對所述待刻蝕晶圓之指定待測位置進行監控的實際膜厚和所述預定設置的預設膜層厚度進行比較，當所述待刻蝕晶圓之指定待測位置的實際膜厚和所述預定設置的預設膜層厚度相等時，則所述刻蝕控制裝置將控制所述濕法刻蝕裝置停止刻蝕。

9.如權利要求8所述的濕法刻蝕裝置的刻蝕方法，其特征在于，所述膜厚測試裝置對所述待刻蝕晶圓的指定測量位置進行定位是在所述待刻蝕晶圓刻蝕之前進行定位，并在定位完成之后和刻蝕完成之前，所述膜厚測量裝置與所述待刻蝕晶圓保持同步運動，所述膜厚測試裝置與所述待刻蝕晶圓具有恒定的相對位置，以確保所述膜厚測試裝置對所述待刻蝕晶圓的指定待測試位置之膜厚進行實時監控。

10.如權利要求8所述的濕法刻蝕裝置的刻蝕方法，其特征在于，所述膜厚測試裝置對所述待刻蝕晶圓的指定待測試位置之膜厚進行實時監控，是通過所述膜厚測試裝置以固定頻率的脈沖信號量測所述待刻蝕晶圓之指待測位置的膜厚。

11.如權利要求10所述的濕法刻蝕裝置的刻蝕方法，其特征在于，所述固定脈沖頻率大于1Hz。