[發明專利]千層金組培快繁工藝有效
| 申請號: | 201210493952.2 | 申請日: | 2012-11-28 |
| 公開(公告)號: | CN102960248A | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 馮愛云;馬建華;王小輝;晏強;羅麗君 | 申請(專利權)人: | 巴中市光霧山植物研究所 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 成都金英專利代理事務所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
| 地址: | 636600 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 千層金組培快繁 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及植物組織培養技術領域,特別是千層金組培快繁工藝。
背景技術
千層金(Melaleuca?bracteata)為桃金娘科白千層屬常綠喬木,別名黃金寶樹、黃金香柳、黃金串錢柳,是20世紀90年代初選育的變異新樹種,1999年由新西蘭首次引入中國。此樹樹型優美,主桿直立,嫩枝紅色,易修剪成型,生長快,葉面全年金黃色或鵝黃色,氣味芳香,可耐-4℃的低溫和42℃的高溫,既抗旱又抗澇,適宜水邊生長,能抗鹽堿、抗強風,是目前世界上最流行、視覺效果最好的彩葉喬木新樹種之一,可用于庭院、池畔、道路中央隔離帶造景,公園綠化、城市景觀等。千層金除極具觀賞價值外,其枝葉富含揮發油,是提取珍貴植物精油—茶樹油的主要樹種之一,茶樹油具有光譜抗微生物、環保、溫和天然清香、無腐蝕等特性,被廣泛應用于醫藥、化妝品、日用化工等行業。因此栽培千層金具有很高的園林觀賞價值和良好的經濟效益。
扦插繁殖千層金可以采用嫩枝扦插、高空壓條法進行繁殖,但通常以嫩枝扦插比較多,一般在4至8月雨水多且夜溫不會太低的時候進行,由于生根期間濕度比較大,容易出現葉子及莖干腐爛。千層金自然繁殖率低,扦插繁殖受季節限制,后期管理流程繁瑣,扦插苗成活率低,難以規模化生產。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的缺點,提供一種繁殖率高、繁殖速度快、操作簡便的千層金組培快繁工藝。
本發明的目的通過以下技術方案來實現:千層金組培快繁工藝,它包括以下步驟:
S1、外植體滅菌,采集無病蟲害的千層金幼嫩莖段,去掉多余葉片,于流水中沖洗半個小時以上,再用洗滌劑浸泡8~12min,最后用流水沖洗,直至無泡沫出現,再放入超凈工作臺上,用酒精處理15~25s,無菌水清洗1遍,升汞處理3~7min,無菌水沖洗4~6遍;
S2、啟動培養,將滅菌后的外植體切割至2~3cm幼嫩莖段,接種于啟動培養基中,啟動培養基為MS+6-BA?0.5mg/L+蔗糖30g/L+瓊脂5g/L,PH調整至5.8~6.2,于光照強度為3000LX,光照時間15~17h/d,溫度22~26℃的培養室中培養2~3周,生長出腋芽;
S3、初代培養,將腋芽切下轉移至初代培養基上進行培養,初代培養基為MS+6-BA?0.5mg/L+NAA?0.2mg/L+蔗糖30g/L+瓊脂5g/L,PH調整至5.8~6.2,于光照強度為3000LX,光照時間15~17h/d,溫度22~26℃的培養室中培養3~4周,植株生長并生根,在葉腋處重新生長出腋芽;
S4、繼代培養,將腋芽切下轉移至繼代培養基中,繼代培養基與啟動培養基相同,培養3~4周后,在植株的葉腋處又重新分化出新的腋芽;
S5、煉苗移栽,將生根健壯的千層金組培苗,洗掉培養基后,直接移栽進溫室大棚苗床中,移栽基質為草炭土混合蛭石,草炭土與蛭石的混合比例1~3:1。
本發明具有以下優點:
本方法是一種從千層金莖段直接誘導腋芽增殖,再使腋芽生根的快速繁殖方法,利用組織培養技術,獲得了千層金組培苗。本發明培養基配方簡單,培養流程簡捷,操作簡便,繁殖系數較高,能夠比較容易的獲得千層金無菌苗,煉苗易成活;省時省力,為千層金工廠化育苗及其深加工提供了技術支持。
附圖說明
圖1?為本發明的啟動培養的示意圖
圖2為本發明的初代培養誘導腋芽的示意圖
圖3?為本發明的繼代培養的示意圖
圖4?為本發明的組培苗的示意圖
圖5?為本發明的組培苗根系的示意圖
圖6?為本發明的煉苗成活的示意圖。?
具體實施方式
下面結合附圖及實施例對本發明做進一步的描述,本發明的保護范圍不局限于以下所述:
實施例1:
千層金組培快繁工藝,它包括以下步驟:
S1、外植體滅菌,采集無病蟲害的千層金幼嫩莖段,去掉多余葉片,于流水中沖洗半個小時以上,再用洗滌劑浸泡10min,最后用流水沖洗,直至無泡沫出現,再放入超凈工作臺上,用酒精處理20s,無菌水清洗1遍,升汞處理5min,無菌水沖洗5遍;
S2、啟動培養,將滅菌后的外植體切割至2~3cm幼嫩莖段,接種于啟動培養基中,啟動培養基為MS+6-BA?0.5mg/L+蔗糖30g/L+瓊脂5g/L,PH調整至5.8~6.2,于光照強度為3000LX,光照時間16h/d,溫度24℃的培養室中培養,培養2~3周后,腋芽生長2~4cm,如圖1所示;
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