[發(fā)明專利]一種花片太陽能電池制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210493910.9
• 申請(qǐng)日: 2012-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN102931289A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐振華;李鋼;武明;楊曉君;李秉霖;姜言森;賈河順;程亮;任現(xiàn)坤;張春艷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

1.?一種花片太陽能電池制備方法，其特征在于，在常規(guī)多晶硅制備工藝的基礎(chǔ)上，使用堿制絨代替酸制絨對(duì)多晶硅進(jìn)行表面織構(gòu)化處理，獲得不同晶粒表面上不相同的表面積/面積比，之后調(diào)節(jié)鍍膜工藝，調(diào)節(jié)鍍膜溫度，時(shí)間，射頻功率，使不同晶粒上同時(shí)鍍膜得到的色彩調(diào)制層厚度不同，從而獲得硅片上的花色。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種花片太陽能電池制備方法，其特征在于：使用的堿溶液是NaOH溶液、KOH溶液或氨水，濃度為0.1%~20%。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種花片太陽能電池制備方法，其特征在于：制絨時(shí)加入制絨添加劑來控制制絨速度。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種花片太陽能電池制備方法，其特征在于：所述色彩調(diào)制層包含氧化物、氟化物、硫化物、氮化物、碲化物及硒化物中的至少之一所構(gòu)成。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種花片太陽能電池制備方法，其特征在于：所述鍍膜厚度為1~500nm。

6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種花片太陽能電池制備方法，其特征在于：具體步驟為，

（1）多晶硅片使用單晶硅用槽式制絨機(jī)臺(tái)進(jìn)行表面織構(gòu)化處理，硅片經(jīng)過去除切片損傷層后，進(jìn)行制絨，制絨溶液為0.5%質(zhì)量比的NaOH溶液，為控制制絨速度還加入0.05%體積比的異丙醇和0.005%體積比的制絨添加劑，控制制絨溫度78℃，制絨時(shí)間為1200秒；

（2）制絨后進(jìn)行擴(kuò)散，控制擴(kuò)散工藝，得到方阻為80±5的PN結(jié)，擴(kuò)散后的硅片表面有一層磷硅玻璃，經(jīng)過邊緣刻蝕和洗磷工序，將硅片側(cè)面和邊緣的磷硅玻璃洗掉；

（3）洗磷后的硅片，使用上鍍膜板式鍍膜機(jī)臺(tái)進(jìn)行氮化硅的沉積鍍膜，鍍膜功率為3100W，調(diào)節(jié)硅烷和和氨氣的比例和帶速使得最終鍍膜厚度在130nm到190nm，折射率在2.05~2.5之間，由于不同晶粒的比表面積/面積比不同，沉積后得到的膜厚也就會(huì)有差異，表面較粗糙，表面積/面積大的晶粒上沉積的薄膜厚度較薄，膜厚在130nm，呈黃色；另一方面，表面較平滑，表面積/面積比較小的晶粒上沉積的膜厚就較厚，在180nm，會(huì)呈現(xiàn)出暗紫色，這樣就在硅片表面上形成了花色。

7.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種花片太陽能電池制備方法，其特征在于：具體步驟為，

（1）多晶硅片使用單晶硅用槽式制絨機(jī)臺(tái)進(jìn)行表面織構(gòu)化處理，硅片經(jīng)過去除切片損傷層后，進(jìn)行制絨，制絨溶液為0.5%質(zhì)量比的NaOH溶液，為控制制絨速度還加入0.05%體積比的異丙醇和0.005%體積比的制絨添加劑，控制制絨溫度78℃，制絨時(shí)間為1200秒；

（2）制絨后進(jìn)行擴(kuò)散，控制擴(kuò)散工藝，得到方阻為80±5的PN結(jié)，擴(kuò)散后的硅片表面有一層磷硅玻璃，經(jīng)過邊緣刻蝕和洗磷工序，將硅片側(cè)面和邊緣的磷硅玻璃洗掉；

（3）洗磷后的硅片，使用上鍍膜板式鍍膜機(jī)臺(tái)進(jìn)行氮化硅的沉積鍍膜，鍍膜功率為3100W，調(diào)節(jié)硅烷和和氨氣的比例和帶速使得最終鍍膜厚度在320nm以上，折射率在2.05~2.5之間，由于不同晶粒的比表面積/面積比不同，沉積后得到的膜厚也就會(huì)有差異，表面較粗糙，表面積/面積大的晶粒上沉積的薄膜厚度較薄，膜厚在320nm，呈紅色；另一方面，表面較平滑，表面積/面積比較小的晶粒上沉積的膜厚就較厚，大于330nm，會(huì)呈現(xiàn)出綠色，這樣就在硅片表面上形成了紅綠相間的花色。

8.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種花片太陽能電池制備方法，其特征在于：具體步驟為，

（1）多晶硅片使用單晶硅用槽式制絨機(jī)臺(tái)進(jìn)行表面織構(gòu)化處理，硅片經(jīng)過去除切片損傷層后，進(jìn)行制絨，制絨溶液為0.5%質(zhì)量比的NaOH溶液，為控制制絨速度還加入0.05%體積比的異丙醇和0.005%體積比的制絨添加劑，控制制絨溫度78℃，制絨時(shí)間為1200秒；

（2）制絨后進(jìn)行擴(kuò)散，控制擴(kuò)散工藝，得到方阻為80±5的PN結(jié)，擴(kuò)散后的硅片表面有一層磷硅玻璃，經(jīng)過邊緣刻蝕和洗磷工序，將硅片側(cè)面和邊緣的磷硅玻璃洗掉；

（3）洗磷后的硅片，使用APCVD鍍膜機(jī)臺(tái)進(jìn)行SiO2的沉積，調(diào)節(jié)氣體比例和帶速使得鍍膜厚度在80nm到100nm，折射率在1.45，由于不同晶粒的比表面積/面積比不同，沉積后得到的膜厚也就會(huì)有差異；表面較粗糙，表面積/面積大的晶粒上沉積的薄膜厚度較薄，膜厚在80nm，呈紅色；另一方面，表面較平滑，表面積/面積比較小的晶粒上沉積的膜厚就較厚，在100nm以上，呈現(xiàn)出藍(lán)色，這樣就在硅片表面上形成了紅藍(lán)相間的花色。