[發明專利]一種用于ESD保護的低壓觸發SCR器件

有效

• 申請號: 201210493251.9
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN102938403A
• 公開（公告）日: 2013-02-20
• 發明（設計）人: 蔡小五;魏俊秀;梁超;閆明;呂川;劉興輝;高哲;郭紅梅
• 申請（專利權）人: 遼寧大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/74
• 代理公司: 沈陽杰克知識產權代理有限公司 21207
• 代理人: 金春華

1.一種用于ESD保護的低壓觸發SCR器件，包括P型襯底（7），P型襯底（7）上設置N阱（6），其特征在于：設有第一PMOS（20）、第二PMOS（30）和第三PMOS（40）；

在N阱（6）上設有第一N+注入區（1）和第一P+注入區（2），第一P+注入區（2）臨近N阱（6）和P型襯底（7）的交界處；

在P型襯底（7）上設有第二N+注入區（3）和第三P+注入區（4），第二N+注入區（3）臨近N阱（6）和P型襯底（7）的交界處；

第一P+注入區（2）接陽極，作為第三PMOS（40）的源，第二P+注入區（5）作為第三PMOS（40）的漏跨接在N阱（6）和P型襯底（7）之間；

第一PMOS（20）柵接陽極，漏接陰極，源接N阱（6）的第一N+注入區（1），襯底接電路的Vdd；

第二PMOS（30）柵接陽極，漏接陰極，源接第三PMOS（40）的柵，襯底接電路的Vdd；

第二N+注入區（3）和第三P+注入區（4）均接陰極。