[發明專利]一種阻燃型太陽能電池背板膜及其制備方法,及一種太陽能電池有效
| 申請號: | 201210493198.2 | 申請日: | 2012-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN103000727A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 寧波長陽科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;B32B27/08;B32B27/18;B32B37/15 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 阻燃 太陽能電池 背板 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池背板膜技術領域,具體涉及一種阻燃型太陽能電池背板膜及其制備方法,及一種太陽能電池。
背景技術
太陽能電池是通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉化成電能的裝置,太陽能電池由低鐵鋼化玻璃、硅片、EVA膠和背膜經過層壓制備。隨著人們對安全意識的不斷加強,特別是對阻燃性能提出了更高的要求,因此通過賦予太陽能電池高等級的阻燃性能,對太陽能行業的發展具有極其重要的現實意義。其中太陽能背板膜是太陽能電池中主要的有機材料,因此阻燃型背板膜的開發尤為重要。
一般太陽能電池背膜是由三層結構組成:TPT或KPK。其中“T”指的是聚氟乙烯膜,“P”指的是聚酯膜,“K”指的是聚偏氟乙烯膜,各層膜之間通過粘合劑覆合。這些太陽能電池背膜的阻燃性能還有待提高,長期在高溫環境下使用,容易導致一些有機材料燃燒。
發明內容
為了解決現有太陽能電池長期在高溫環境下使用,發熱過大導致太陽能電池中的背板膜出現燃燒現象,破壞太陽能電池功能的缺陷,本發明提供一種阻燃型太陽能電池背板膜及其制備方法,及一種太陽能電池。本發明提供的阻燃型太陽能電池背板膜具有較好的阻燃性、絕緣性和耐熱性和良好的阻隔性能。其制備方法工藝簡單,易于操作,具有該阻燃型太陽能電池背板膜的太陽能電池能夠在高溫環境下使用。
為了解決上述技術問題,本發明采用下述技術方案:
本發明提供一種阻燃型太陽能電池背板膜,所述背板膜包括基材層和氟膜層,所述的基材層和氟膜層通過粘結層相連接;所述基材層包含5-35%的阻燃劑和1-20%的白色無機顏料,所述粘結層包含5-35%的阻燃劑,所述百分比為重量百分比。
所述基材層添加有阻燃劑,具有一定的阻燃性能,是阻燃型薄膜;所述的氟膜層所選擇的含氟材料具有良好的耐化學性、介電性能、電氣絕緣性能、耐高溫性能和較強的機械強度,并且具有優異的阻燃性能,可以稱為阻燃型氟膜;所述的粘結層材料為粘合劑,所述粘合劑中添加有阻燃劑,所述添加有阻燃劑的粘合劑亦可稱為阻燃型粘合劑。所述白色無機顏料包括金紅石型鈦白粉、銳鈦型鈦白粉、立德粉、硫酸鋇或碳酸鈣中的一種或至少兩種的組合,所述白色無機顏料的粒徑為0.3-1μm。
進一步的,所述基材層中阻燃劑的添加量為10-25%,15%,18%或20%,白色無機顏料的添加量為5-12%,8%或10%,所述粘結層阻燃劑的添加量為10-25%,15%,18%或20%。
進一步的,所述基材層的厚度為150-350μm,所述粘結層的厚度為1-15μm,所述氟膜層的厚度為5-50μm。
進一步的,所述基材層的厚度為180-300μm,所述粘結層的厚度為5-12μm,所述氟膜層的厚度為10-40μm。
上述背板膜厚度較薄,成本較低。
更進一步的,所述基材層的厚度還可以為200-280μm,210μm或250μm,所述粘結層的厚度還可以為2-15μm,5-10μm,6μm或8μm,所述氟膜層的厚度為18-35μm,25μm或30μm。
進一步的,所述基材層的材料包括聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酰亞胺(PI)、聚己內酰胺(PA6)、聚己二酰己二胺(PA66)或聚碳酸酯(PC)中的一種。
進一步的,所述的粘結層的材料包括乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)、聚乙烯醇縮丁醛樹脂(PVB)、環氧樹脂(EP)或聚氨酯樹脂(PU)中的一種。
進一步的,所述氟膜層的材料包括聚偏氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯(PVF)、三氟氯乙烯-乙烯共聚物(ECTFE)或四氟乙烯-六氟丙烯-偏氟乙烯共聚物(THV)中的一種。
進一步的,所述阻燃劑包括磷氮系阻燃劑或鹵系阻燃劑或其組合。
所述磷氮系阻燃劑包括羥基苯基磷酰乙酸、羥基苯基磷酰丙酸、磷酸三苯酯、聚磷酸銨、磷酸三(2,3-二氯丙基)酯(TDCPP)、三聚氰胺焦磷酸鹽(MPP)或三聚氰胺氰尿酸鹽(MCA);所述鹵系阻燃劑包括十溴二苯乙烷或十溴二苯醚。
進一步的,所述基材層材料選自PET、PBT或PEN;所述粘結層材料選自EVA或PVB;所述氟膜層的材料選自PVDF或PVF。
進一步的,所述基材層材料選自PI、PA6、PA66或PC;所述粘結層材料選自EVA、EP或PU;所述氟膜層的材料選自PVDF、ECTFE或THV。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





