[發明專利]一種用于電容式觸摸屏的透明導電膜層

在審

• 申請號: 201210490570.4
• 申請日: 2012-11-27
• 公開（公告）號: CN102982861A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 劉志斌;黃海東;吳勇;熊維龍;趙斌
• 申請（專利權）人: 無錫力合光電石墨烯應用研發中心有限公司;無錫力合光電傳感技術有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B1/04;H01B13/00
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 鞏克棟

1.一種用于電容式觸摸屏的透明導電膜層，其特征在于，所述透明導電膜層包括基板（100），附著在基板上的石墨烯透明導電層（201），以及沉積在石墨烯材料上的透明導電氧化物膜層（202）。

2.如權利要求1所述的透明導電膜層，其特征在于，所述石墨烯透明導電層（201）的厚度為0.3-1.5nm；

優選地，所述石墨烯透明導電層（201）的原子層數為1-5層，優選1-3層，進一步優選2-3層；所述石墨烯透明導電層（201）的可見光的光學透過率≥85%。

3.如權利要求1或2所述的透明導電膜層，其特征在于，所述透明導電氧化物膜層（202）的厚度為50-200nm；

優選地，所述透明導電氧化物膜層（202）的材料選自AZO薄膜或FTO膜。

4.如權利要求1-3之一所述的透明導電膜層，其特征在于，所述基板（100）的厚度為0.3-2mm，優選0.3-1.1mm；

優選地，所述基板（100）為玻璃基板或PET基板。

5.一種如權利要求1-4之一所述的電容式觸摸屏的透明導電膜層的制備方法，其特征在于，所述方法為在基板上轉印石墨烯薄膜，然后在所述的石墨烯薄膜上沉積氧化物膜，得到結構為氧化物膜/石墨烯薄膜/基板的透明導電膜層，將其進行刻蝕，得到用于電容式觸摸屏的透明導電膜層。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

（1）制備石墨烯薄膜；

（2）將步驟（1）制得的石墨烯薄膜轉印到基板上，得到石墨烯薄膜/基板的層狀結構；

（3）在步驟（2）得到的石墨烯薄膜/基板的層狀結構上沉積氧化物膜，得到結構為氧化物膜/石墨烯薄膜/基板的透明導電膜層；

（4）將步驟（3）得到的結構為氧化物膜/石墨烯薄膜/基板的透明導電膜層進行圖案化，得到用于電容式觸摸屏的透明導電膜層。

7.如權利要求5或6所述的方法，其特征在于，步驟（1）所述石墨烯的制備方法選自化學氣相沉積法、化學分散法或加熱SiC法中的任意1種，優選化學氣相沉積法；

優選地，步驟（1）所述石墨烯的制備方法為化學氣相沉積法，具體為在800-1000℃下裂解碳源性氣體，在襯底表面生長石墨烯薄膜；所述襯底優選為銅箔；

優選地，步驟（1）所述石墨烯薄膜的原子層數為1-5層，優選1-3層，進一步優選2-3層；所述石墨烯薄膜的厚度為0.3-1.5nm。

8.如權利要求5-7之一所述的方法，其特征在于，步驟（2）所述石墨烯的轉印方法選自聚甲基丙烯酸甲酯轉移法、熱釋放膠帶轉移法或聚二甲基硅氧烷轉移法中的任意1種，優選聚甲基丙烯酸甲酯轉移法。

9.如權利要求5-8之一所述的方法，其特征在于，步驟（3）所述氧化物膜為AZO薄膜或FTO膜；

優選地，步驟（3）所述氧化物膜的厚度為50-200nm；

優選地，步驟（3）所述氧化物膜的沉積方法選自PVD方法中的任意1種，優選自真空蒸發沉積鍍膜、濺射沉積鍍膜、離子鍍沉積鍍膜中的任意1種，進一步優選濺射沉積鍍膜法；

優選地，步驟（3）所述濺射沉積鍍膜的工藝條件為：真空度0.3~0.6Pa，電壓200~600V，靶的材料為：AZO陶瓷靶材或FTO陶瓷靶材，工作氣體：氬氣；

優選地，步驟（4）所述圖案化選自光刻或激光刻蝕，優選激光刻蝕。