[發明專利]LED外延片及其制造方法在審
| 申請號： | 201210486695.X | 申請日： | 2012-11-26 |
| 公開（公告）號： | CN103840046A | 公開（公告）日： | 2014-06-04 |
| 發明（設計）人： | 何麗 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L33/10 | 分類號： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一種LED外延片，其特征在于，包括：圖形化襯底、外延層和反射層，所述外延層形成于所述圖形化襯底的正面，所述反射層形成于所述圖形化襯底的背面，所述反射層包括按照交替周期數交替形成的低折射率膜層和高折射率膜層。
2.根據權利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述交替周期數包括：10至20。
3.根據權利要求1或2所述的LED外延片，其特征在于，所述低折射率膜層的材料包括：Na3AlF6、SiO2、MgF2、LiF或者LaF3，所述高折射率膜層的材料包括：Y2O3，HfO2，Ta2O5或者TiO2。
4.根據權利要求1或2所述的LED外延片，其特征在于，所述低折射率膜層的厚度為1/4λ，所述高折射率膜層的厚度為1/4λ。
5.一種LED外延片的制造方法，其特征在于，包括：
形成圖形化襯底；
在所述圖形化襯底的正面形成外延層以及在所述圖形化襯底的背面形成反射層，所述反射層包括按照交替周期數交替形成的低折射率膜層和高折射率膜層。
6.根據權利要求5所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，所述在所述圖形化襯底的正面形成外延層以及在所述圖形化襯底的背面形成反射層包括：
在所述圖形化襯底的正面形成所述外延層；
在所述圖形化襯底的背面形成所述反射層。
7.根據權利要求6所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，所述在所述圖形化襯底的背面形成所述反射層包括：
通過PVD或者CVD的方法，在所述圖形化襯底的背面按照交替周期數交替形成所述低折射率膜層和所述高折射率膜層。
8.根據權利要求5至7任一所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，所述交替周期數包括：10至20。
9.根據權利要求5至7任一所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，所述低折射率膜層的材料包括：Na3AlF6、SiO2、MgF2、LiF或者LaF3，所述高折射率膜層的材料包括：Y2O3，HfO2，Ta2O5或者TiO2。
10.根據權利要求5至7任一所述的LED外延片的制造方法，其特征在于，所述低折射率膜層的厚度為1/4λ，所述高折射率膜層的厚度為1/4λ。
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