技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種取向?qū)印⒁环N液晶顯示裝置和一種制造該液晶顯示裝置的方法。

背景技術(shù)

通常，根據(jù)液晶顯示裝置的液晶層的特性，可以將液晶顯示裝置分為扭曲向列（TN）模式、面內(nèi)開(kāi)關(guān)（ISP）模式、垂直取向（VA）模式和其它模式。已經(jīng)開(kāi)發(fā)出構(gòu)型垂直取向（PVA）模式（其是一種垂直取向模式）來(lái)實(shí)現(xiàn)寬視角。另外，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出微縫隙模式或超垂直取向（SVA）模式，以進(jìn)一步改善側(cè)視性。在SVA模式下，反應(yīng)性液晶元包括在液晶層中，以使液晶分子取向。包括在液晶層中的反應(yīng)性液晶元可以被光固化，以使液晶分子預(yù)傾斜。未被光固化的反應(yīng)性液晶元（即，未固化的反應(yīng)性液晶元）會(huì)在液晶顯示裝置中造成各種缺陷。為了減少這種未固化的反應(yīng)性液晶元的量，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出包括功能與反應(yīng)性液晶元的功能相似的光固化劑的取向?qū)硬牧稀Ｍㄟ^(guò)各種制造方法和條件將包括光固化劑的取向?qū)硬牧闲纬蔀槭挂壕Х肿尤∠虺深A(yù)傾斜的取向?qū)印Ｒ赃@種方式形成的取向?qū)訉?duì)液晶顯示裝置的顯示品質(zhì)有很大的影響，例如，在液晶顯示裝置中紋理方面的缺陷、光泄漏方面的缺陷和響應(yīng)時(shí)間慢。

因此，為了減少紋理缺陷和光泄漏缺陷或者改善顯示品質(zhì)的均勻性，需要使液晶分子均勻地預(yù)傾斜的取向?qū)印４送猓瑸榱思涌煲壕э@示裝置的響應(yīng)時(shí)間，需要優(yōu)化包括在取向?qū)又械墓倌軋F(tuán)。此外，為了改善取向?qū)拥目煽啃院吞匦裕枰罴训娜∠驅(qū)又圃旃に嚒?/p>

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供了一種使液晶分子取向成均勻地預(yù)傾斜的取向?qū)印?!-- SIPO -->

本發(fā)明的示例性實(shí)施例還提供了一種可以減少紋理缺陷和光泄漏缺陷并且可以改善響應(yīng)時(shí)間和顯示品質(zhì)的均勻性的液晶顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明的附加特征將在以下的描述中進(jìn)行闡述，部分地通過(guò)描述將是清楚的，或者可通過(guò)實(shí)踐本發(fā)明而了解。

本發(fā)明的示例性實(shí)施例公開(kāi)了一種取向?qū)樱∠驅(qū)影ㄔ诨迳嫌脕?lái)形成第一主鏈的第一物質(zhì)和用來(lái)形成第二主鏈的第二物質(zhì)。第一物質(zhì)可以結(jié)合到光固化劑，第二物質(zhì)可以結(jié)合到垂直取向基團(tuán)，光固化劑彼此交聯(lián)并且取向成相對(duì)于基板以預(yù)傾斜角度傾斜，垂直取向基團(tuán)基本垂直于基板取向，第一物質(zhì)和第二物質(zhì)互不相同。

本發(fā)明的示例性實(shí)施例還公開(kāi)了一種取向?qū)樱鋈∠驅(qū)影ㄔ诨迳辖Y(jié)合到包括聚乙烯的第一主鏈的光固化劑。光固化劑可以彼此交聯(lián)且可以取向成相對(duì)于基板以預(yù)傾斜角度傾斜。

將理解的是，上述的總體描述和下面的詳細(xì)描述是示例性的和解釋性的，并且意圖對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。

附圖說(shuō)明

附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與描述一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理，其中，包括附圖來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步的理解，并且將附圖并入到本說(shuō)明書中且附圖構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分。

圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的通過(guò)使用上下顯示面板制造SC-VA模式的液晶顯示面板組件的方法中的步驟的流程圖。

圖2A、圖2B、圖2C、圖2D和圖2E是順序地示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的形成SC-VA模式的液晶顯示面板組件的表面光固化劑層和主取向?qū)拥墓に嚨钠室晥D。

圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的向液晶顯示面板組件供應(yīng)DC電壓的波形的圖。

圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的向液晶顯示面板組件供應(yīng)多級(jí)電壓的波形的圖。

圖5是示出了通過(guò)對(duì)根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的SC-VA模式的液晶顯示裝置的一個(gè)像素根據(jù)電壓電平進(jìn)行拍攝而獲得的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像的圖。

具體實(shí)施方式

在下文中參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為局限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開(kāi)是徹底的，并且這些實(shí)施例將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見(jiàn)，可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。附圖中同樣的標(biāo)號(hào)指示同樣的元件。此外，盡管在本說(shuō)明書中提供了數(shù)值限制，但是應(yīng)該指出的是，只要這些數(shù)值限制未被公開(kāi)在權(quán)利要求書中，這些數(shù)值限制就僅僅是示例的方式。此外，在以下對(duì)本發(fā)明的描述中，當(dāng)對(duì)已知功能和構(gòu)造的詳細(xì)描述可能會(huì)使本發(fā)明的主題反而變得不清楚時(shí)，將省略對(duì)已知功能和構(gòu)造的詳細(xì)描述。