[發明專利]一種襯底處理系統

有效

• 申請號: 201210480416.9
• 申請日: 2012-11-23
• 公開（公告）號: CN103839875B
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發明（設計）人: 邊國棟;丁培軍;王厚工;趙夢欣
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/02
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,陶金龍

1.一種襯底處理系統，其特征在于，包括：去氣腔、輸氣單元和氣體處理裝置，其中：

所述去氣腔，包括位于腔內的支撐件,所述支撐件用于承載半導體襯底；

所述輸氣單元，包括用于接收氣體的輸入口以及與所述去氣腔封閉相連的一個或多個輸出口；

所述氣體處理裝置，設置于所述去氣腔內與所述輸氣單元的輸出口連接并位于所述支撐件上方；

所述氣體處理裝置包括加熱單元和勻氣單元，所述勻氣單元包括與所述半導體襯底表面平行排列的相互間隔一定間距的多個勻氣板，所述勻氣板具有多個通孔；所述加熱單元位于所述勻氣板的上方、下方或所述勻氣板內，用于對通過所述通孔的氣體加熱；

所述多個勻氣板中靠近所述支撐件的勻氣板上通孔的數量大于靠近所述輸氣單元輸出口的勻氣板上通孔的數量，靠近所述輸氣單元輸出口的勻氣板上通孔的孔徑大于靠近所述支撐件的勻氣板上通孔的孔徑；

所述多個勻氣板之間形成使氣體停留被加熱的空間。

2.根據權利要求1所述的襯底處理系統，其特征在于，所述加熱單元，包括：

導流元件，所述導流元件形成引導所述氣體流動的導流路徑，使所述氣體沿所述導流路徑流動以增加所述加熱單元與所述氣體的接觸面積。

3.根據權利要求1所述的襯底處理系統，其特征在于，所述勻氣板與所述去氣腔的腔室側壁固定連接。

4.根據權利要求1所述的襯底處理系統，其特征在于，每個所述勻氣板上的通孔呈均勻分布。

5.根據權利要求1所述的襯底處理系統，其特征在于，所述加熱單元緊密貼合于所述勻氣板的上表面或下表面。

6.根據權利要求1所述的襯底處理系統，其特征在于，所述加熱單元包括電阻絲。

7.根據權利要求1所述的襯底處理系統，其特征在于，所述襯底處理系統，還包括底部加熱單元，設置于所述去氣腔底部，用于對所述半導體襯底加熱。

8.根據權利要求1所述的襯底處理系統，其特征在于，所述襯底處理系統，還包括：

真空泵抽氣單元，其抽氣接口與所述去氣腔連接，用于將所述去氣腔內的氣體抽出。

9.根據權利要求8所述的襯底處理系統，其特征在于，所述襯底處理系統，還包括：

冷卻單元，連接于所述去氣腔和所述真空泵抽氣單元的抽氣接口之間，用于將所述去氣腔內排出的氣體冷卻。

10.根據權利要求9所述的襯底處理系統，其特征在于，所述冷卻單元，包括：冷卻元件及導氣管，其中：

所述導氣管的一端連接所述去氣腔，另一端連接所述抽氣單元的抽氣接口，所述導氣管纏繞連接于所述冷卻元件外側。