[發明專利]熱致發聲裝置的制備方法

有效

• 申請號: 201210471460.3
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN103841507B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發明（設計）人: 魏洋;林曉陽;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H04R31/00
• 分類號: H04R31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種熱致發聲裝置的制備方法，包括以下步驟：

提供一硅基底，該硅基底具有一表面；

圖案化處理所述硅基底的該表面，在該表面形成多個相互平行且間隔設置的凹槽，所述凹槽的深度為100微米至200微米；

在所述硅基底的該圖案化的表面形成一絕緣層；

在相鄰所述凹槽之間的絕緣層表面形成間隔設置的一第一電極及一第二電極；以及

在所述絕緣層表面設置一層狀碳納米管結構且與所述第一電極及第二電極電連接，對應凹槽位置處的所述層狀碳納米管結構懸空設置。

2.如權利要求1所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，所述硅基底通過干法刻蝕或濕法刻蝕的方法形成所述凹槽。

3.如權利要求2所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，所述濕法刻蝕包括以下步驟：

將一掩模設置于所述硅基底的該表面；

通過刻蝕溶液刻蝕所述硅基底的表面，形成多個凹槽；以及

去除所述掩模，形成所述圖案化的表面。

4.如權利要求1所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，所述凹槽的寬度為大于等于0.2毫米小于1毫米。

5.如權利要求1所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，所述絕緣層僅沉積于所述凹槽之間的硅基底表面。

6.如權利要求1所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，所述絕緣層沉積于所述硅基底整個圖案化的表面，且所述絕緣層的起伏趨勢與所述圖案化表面的起伏趨勢相同。

7.如權利要求1所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，所述層狀碳納米管結構為一由多個碳納米管組成的碳納米管膜，所述碳納米管膜中的多個碳納米管基本沿同一方向延伸。

8.如權利要求7所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，所述碳納米管 膜直接貼附在所述絕緣層的表面形成所述層狀碳納米管結構，使得所述層狀碳納米管結構部分貼附在所述絕緣層的表面，部分通過凹槽懸空設置。

9.如權利要求7所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，所述層狀碳納米管結構中的碳納米管的延伸方向與所述凹槽的延伸方向形成一夾角，該夾角大于0度小于等于90度。

10.如權利要求7所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，在將碳納米管膜貼附于所述絕緣層表面之后，進一步包括以下步驟處理所述碳納米管膜：

切割所述碳納米管膜，形成多個間隔的碳納米管帶，所述切割方向平行于所述碳納米管膜中碳納米管的延伸方向；

利用有機溶劑處理所述碳納米管帶，使所述碳納米管帶收縮形成碳納米管線。

11.如權利要求1所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，進一步包括通過微電子工藝在所述硅基底的另一表面制備一集成電路芯片的步驟。

12.如權利要求1所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，進一步包括通過絲網印刷在所述相鄰凹槽之間的絕緣層表面形成梳狀的第一電極和梳狀的第二電極，該第一電極和第二電極交錯且相對設置。

13.如權利要求1所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，進一步包括在基底的另一表面形成相同的凹槽、絕緣層、熱致發聲元件及電極的步驟。

14.一種熱致發聲裝置的制備方法，包括以下步驟：

提供一硅基底，該硅基底具有一表面；

在所述硅基底的該表面形成多個均勻分布且間隔設置的凹部，所述凹部的深度為100微米至200微米；

在所述硅基底的該表面形成一絕緣層；

在所述絕緣層表面設置一層狀碳納米管結構，對應凹部位置處的所述層狀碳納米管結構懸空設置；以及

形成間隔設置的第一電極與第二電極，并與所述層狀碳納米管結構電連接。

15.如權利要求14所述的熱致發聲裝置的制備方法，其特征在于，所述凹部為呈陣列設置的多個凹孔。