[發明專利]一種有效控制功率器件終端場氧化層角度的方法

有效

• 申請號: 201210468895.2
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN103824769B
• 公開（公告）日: 2016-11-09
• 發明（設計）人: 斯海國
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種有效控制功率器件終端場氧化層角度的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1，準備一片硅片，該硅片的參數由器件設計性質決定；

步驟2，將硅片做表面清洗步驟后，熱生長或化學氣相淀積一層致密度為A1的第一氧化層；

步驟3，采用化學氣相淀積的方法，在第一氧化層上淀積一層致密度為A2的第二氧化層；所述第二氧化層的致密度A2應小于所述第一氧化層的致密度A1；

步驟4，在第二氧化層上涂布光刻膠，并光刻定義出場氧化層的圖形；

步驟5，采用濕法刻蝕刻穿第二氧化層，繼續采用濕法刻蝕直至刻穿第一氧化層；

步驟6，去除光刻膠，形成最終的場氧化層圖形。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1中，所述的硅片的類型、厚度、電阻率、前處理參數，與最終應用的器件本身有關；所述硅片的厚度在50微米到800微米之間；所述硅片是外延片、直拉硅片、區熔硅片、或SOI硅片。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述的前處理包括器件本身設計需要而做的終端注入、退火，表面潔凈處理。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2中，所述的熱生長或化學氣相淀積一層致密度為A1的第一氧化膜，所述熱生長是濕法，或者是干法，或者是干法和濕法氧化混合進行；所述化學氣相淀積是常壓化學氣相淀積、低壓化學氣相淀積、或等離子增強化學氣相淀積。

5.如權利要求1或4所述的方法，其特征在于，步驟2中，所述第一氧化層的厚度是0.1微米到10微米。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3中，所述第二氧化層的化學氣相淀積方法，是常壓化學氣相淀積、低壓化學氣相淀積、或等離子增強化學氣相淀積方法。

7.如權利要求1或6所述的方法，其特征在于，步驟3中，所述的第二氧化層的厚度在30埃到10微米之間。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4中，所述光刻膠是正性光刻膠，或負性光刻膠；所述光刻膠的厚度在0.1微米到10微米之間。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5中，所述濕法刻蝕所用腐蝕液的刻蝕速率在到

10.如權利要求1或9所述的方法，其特征在于，步驟5完成后，形成角度（θ2）較大的第二氧化層和角度（θ1）較小的第一氧化層。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在步驟6所述去除光刻膠之后，還增加如下步驟：采用濕法刻蝕去除第二氧化層，僅剩第一氧化層，形成最終的場氧化層圖形。